Дослідження структури ємнісних перетворювачів на основі тонкоплівкової структури Al/ITO/поліімід/Al₂O₃

dc.contributor.authorЗайцева, Лілія Василівнаuk
dc.contributor.authorХрипунов, Геннадій Семеновичuk
dc.contributor.authorЗайцев, Роман Валентиновичuk
dc.contributor.authorГоркунов, Борис Митрофановичuk
dc.contributor.authorХрипунова, Аліна Леонідівнаuk
dc.date.accessioned2019-04-01T11:04:51Z
dc.date.available2019-04-01T11:04:51Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractУ статті розглянута ключова проблема безрідинного акустичного контролю металевих виробів та запропоноване новітнє рішення для дефектоскопії в умовах промислового виробництва. Основною особливістю рішення є використання тонкоплівкових гнучких шарів у ємнісних перетворювачах на основі структури Al/ITO/поліімід/Al₂O₃ загальною товщиною не більше 20 мкм. На підставі проведеного дослідження структурних та електричних властивостей шарів такої структури визначені оптимальні умови їх отримання для максимально ефективного використання у якості ємнісних перетворювачів. Створено дослідний зразок тонкоплівкового ємнісного перетворювача для акустичного контролю металевих виробів на основі структури Al/ITO/поліімід/Al₂O₃.uk
dc.description.abstractThe article considers the key issue of metal parts liquid free acoustic control and proposed innovative solutions for defectoscopy in industrial production. The main feature of the solution is using flexible thin-film capacitive transducers based on the ITO/polyimide/Al₂O₃ structure with total thickness less than 20 microns. Based on the research of structural and electrical properties of layers with such structure it has been established the optimal conditions to maximize the efficiency of their using as capacitive transducers. A prototype of thin-film capacitive transducer for metal parts acoustic control on the basis of Al/ITO/polyimide/Al₂O₃ composition it has been manufactured.en
dc.identifier.citationДослідження структури ємнісних перетворювачів на основі тонкоплівкової структури Al/ITO/поліімід/Al₂O₃ / Л. В. Зайцева [та ін.] // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології = Sensor electronics and microsystem technologies. – 2015. – Т. 12, № 2. – С. 42-47.uk
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/40491
dc.language.isouk
dc.publisherОдеський національний університет ім. І. І. Мeчниковаuk
dc.subjectтонкоплівковий перетворювачuk
dc.subjectємнісний методuk
dc.subjectдефектоскопія металівuk
dc.subjectthin film converteren
dc.subjectcapacitive methoden
dc.subjectdefectoscopy of metalsen
dc.titleДослідження структури ємнісних перетворювачів на основі тонкоплівкової структури Al/ITO/поліімід/Al₂O₃uk
dc.title.alternativeInvestigation of capacitive converters structure based on ITO/polyimide/Al₂O₃ thin-film compositionen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
SEMT_2015_12_2_Zaitseva_Doslidzhennia.pdf
Розмір:
653.29 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: