Structure and phase formation features of Ti-Zr-Ni quasicrystalline films under heating

Ескіз

Дата

2019

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Sumy State University

Анотація

The paper describes the growth features of thin Ti-Zr-Ni films prepared by the method of magnetron sputtering of the targets with compositions Ti₅₃Zr₃₀Ni₁₈ and Ti₄₁Zr₃₈.₃Ni₂₀.₇ on the substrates at 300 K with subsequent annealing in vacuum. The formation peculiarities of phase composition, structure and thermal stability of quasicrystalline thin films were studied. It was established that in initial state the films were X-ray-amorphous or nanocrystalline with coherence lengths (according to Scherrer) near 1.6-1.8 nm independently on the element composition of the sputtered target. This structure is relatively stable up to the temperature 673 K when the formation of the quasi-crystalline phase begins. In the films with composition of Ti₅₃Zr₃₀Ni₁₈. It is added with an admixture of the 1/1 W-crystal approximant phase. In the films with Ti₄₁Zr₃₈.₃Ni₂₀.₇ composition, an optimal annealing temperature is between 823 K and 873 K. Additionally, for the first time, the data on the formation of 2/1 approximant crystal as an admixture phase in this system were obtained. Under annealing at the temperatures higher than 873 K, the decomposition of the quasi-crystalline and approximant phases into crystalline phases stable at higher temperatures according to the equilibrium phase diagram was established.
У роботі описуються особливості вирощування тонких плівок Ti-Zr-Ni методом магнетронного розпилення мішеней складу Ti₅₃Zr₃₀Ni₁₈ та Ti₄₁Zr₃₈.₃Ni₂₀.₇ на підкладки при Т= 300 K з наступним відпалом у вакуумі. Вивчено особливості формування фазового складу, структури та термічної стабільності тонких плівок квазікристалів. Встановлено, що плівки у вихідному стані є рентгено-аморфними, або нанокристалічними з розміром областей розсіювання згідно Шерреру близько 1.6-1.8 нм незалежно від елементного складу мішені, яка розпилювалась. Ця структура є відносно стабільною до температури 673 K, при якій починається формування квазікристалічної фази. В плівках складу Ti₅₃Zr₃₀Ni₁₈ найбільша кількість квазікристалічної фази. Вона доповнюється домішкою W-фази кристала-апроксиманта 1/1. В плівках складу Ti₄₁Zr₃₈.₃Ni₂₀.₇ оптимальна температура відпалу знаходиться між 823 K та 873 K. Крім того, вперше отримані дані про формування 2/1 кристалічного апроксиманту як фази домішки. При відпалу за температур понад 873 K встановлено розпад фаз квазікристала та апроксиманта на стабільні при високих температурах кристалічні фази згідно діаграмою рівноваги.

Опис

Ключові слова

quasicrystals, approximant crystals, magnetron sputtering, thin films, X-ray diffraction, квазікристали, кристали апроксиманти, магнетронне розпилення, тонкі плівки, рентгенівська дифрактометрія

Бібліографічний опис

Structure and phase formation features of Ti-Zr-Ni quasicrystalline films under heating / S. V. Malykhin [et al.] // Journal of nano- and electronic physics = Журнал нано- та електронної фізики. – 2019. – Vol. 11, No. 3. – P. 03009-1-03009-4.

Підтвердження

Рецензія

Додано до

Згадується в