Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters

dc.contributor.authorKopach, V. R.en
dc.contributor.authorKirichenko, M. V.en
dc.contributor.authorShramko, S. V.en
dc.contributor.authorZaitsev, R. V.en
dc.date.accessioned2022-09-22T17:58:53Z
dc.date.available2022-09-22T17:58:53Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractIt has been shown that to increase the efficiency and manufacturability of single-crystal silicon photovoltaic solar energy converters (Si-PVC) with 180-200 μm thick base crystals having a polished photoreceiving surface and double-layer back surface reflector (BSR) consisting of a transparent oxide and aluminum layers, a conductive transparent indium-tin oxide (ITO) layer of 0.25 μm interference thickness is to be used as the nonmetallic BSR layer. It provides the ITO/Al BSR reflection coefficient in the range of 85 < R < 96 % for solar radiation photoactive component incident the Si-PVC back surface at substantially zero contribution of ITO layer resistance to the device series resistance. In the case of Si-PVC with inverted pyramid type texture of crystal photoreceiving surface at which the specificity of light distribution in the crystal causes total reflection of radiation from Si/ITO interface, the ITO layer thickness should be experimentally optimized in the 1-2 μm range independently of base crystal thickness to minimize the photoactive radiation losses and ITO layer resistance.en
dc.description.abstractПоказано, що для підвищення ефективності роботи і технологічності виготовлення монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Sі-ФЕП) сонячної енергії з товщиною базових кристалів 180+200 мкм, які мають поліровану фотоприймальну поверхню та двошаровий тильно-поверхневий рефлектор (ТПР), що складається з шарів прозорого оксиду та алюмінію, необхідно в якості неметалічного шару ТПР використовувати провідний прозорий шар із індій-олов'яного оксиду (ІТО) з інтерференційною товщиною 0.25 мкм. Це забезпечує коефіцієнт відбиття ІТО/АІ ТПР у межах 85 < R < 96 % для фотоактивної компоненти сонячного випромінювання, що падає на тильну поверхню Sі-ФЕП, при практично нульовому внеску опору шару ІТО у послідовний опір приладу. У випадку Sі-ФЕП з текстурою фотоприймальної поверхні кристала типу інвертованих пірамід, при якій специфіка поширення світла у кристалі обумовлює реалізацію ефекту повного внутрішнього відбивання випромінювання від границі розділу Sі/ІТО, для мінімізації втрат енергії фотоактивного випромінювання та опору шару ІТО його товщину слід експериментально оптимізувати у межах значень 1+2 мкм незалежно від товщини базового кристала.uk
dc.identifier.citationDouble-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters / V. R. Kopach [et al.] // Functional materials. – 2008. – Vol. 15, No.4. – P. 604-607.en
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0002-4847-506X
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0003-2286-8452
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58122
dc.language.isoen
dc.publisherScientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals"en
dc.subjectsilicon photoconvertersen
dc.subjectreflectoren
dc.subjectsolar energyen
dc.subjectchemical reactionsen
dc.subjectelectric poweren
dc.subjectелектрична енергіяuk
dc.subjectнапругаuk
dc.subjectсонячна енергіяuk
dc.subjectхімічні реакціїuk
dc.titleDouble-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconvertersen
dc.title.alternativeДвошаровий ІТО/АІ тильно-поверхневий рефлектор для одноперехідних кремнієвих фотоперетворювачівuk
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
FM_2008_15_4_Kopach_Double.pdf
Розмір:
447.2 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: