Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters
dc.contributor.author | Kopach, V. R. | en |
dc.contributor.author | Kirichenko, M. V. | en |
dc.contributor.author | Shramko, S. V. | en |
dc.contributor.author | Zaitsev, R. V. | en |
dc.date.accessioned | 2022-09-22T17:58:53Z | |
dc.date.available | 2022-09-22T17:58:53Z | |
dc.date.issued | 2008 | |
dc.description.abstract | It has been shown that to increase the efficiency and manufacturability of single-crystal silicon photovoltaic solar energy converters (Si-PVC) with 180-200 μm thick base crystals having a polished photoreceiving surface and double-layer back surface reflector (BSR) consisting of a transparent oxide and aluminum layers, a conductive transparent indium-tin oxide (ITO) layer of 0.25 μm interference thickness is to be used as the nonmetallic BSR layer. It provides the ITO/Al BSR reflection coefficient in the range of 85 < R < 96 % for solar radiation photoactive component incident the Si-PVC back surface at substantially zero contribution of ITO layer resistance to the device series resistance. In the case of Si-PVC with inverted pyramid type texture of crystal photoreceiving surface at which the specificity of light distribution in the crystal causes total reflection of radiation from Si/ITO interface, the ITO layer thickness should be experimentally optimized in the 1-2 μm range independently of base crystal thickness to minimize the photoactive radiation losses and ITO layer resistance. | en |
dc.description.abstract | Показано, що для підвищення ефективності роботи і технологічності виготовлення монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Sі-ФЕП) сонячної енергії з товщиною базових кристалів 180+200 мкм, які мають поліровану фотоприймальну поверхню та двошаровий тильно-поверхневий рефлектор (ТПР), що складається з шарів прозорого оксиду та алюмінію, необхідно в якості неметалічного шару ТПР використовувати провідний прозорий шар із індій-олов'яного оксиду (ІТО) з інтерференційною товщиною 0.25 мкм. Це забезпечує коефіцієнт відбиття ІТО/АІ ТПР у межах 85 < R < 96 % для фотоактивної компоненти сонячного випромінювання, що падає на тильну поверхню Sі-ФЕП, при практично нульовому внеску опору шару ІТО у послідовний опір приладу. У випадку Sі-ФЕП з текстурою фотоприймальної поверхні кристала типу інвертованих пірамід, при якій специфіка поширення світла у кристалі обумовлює реалізацію ефекту повного внутрішнього відбивання випромінювання від границі розділу Sі/ІТО, для мінімізації втрат енергії фотоактивного випромінювання та опору шару ІТО його товщину слід експериментально оптимізувати у межах значень 1+2 мкм незалежно від товщини базового кристала. | uk |
dc.identifier.citation | Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters / V. R. Kopach [et al.] // Functional materials. – 2008. – Vol. 15, No.4. – P. 604-607. | en |
dc.identifier.orcid | https://orcid.org/0000-0002-4847-506X | |
dc.identifier.orcid | https://orcid.org/0000-0003-2286-8452 | |
dc.identifier.uri | https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58122 | |
dc.language.iso | en | |
dc.publisher | Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals" | en |
dc.subject | silicon photoconverters | en |
dc.subject | reflector | en |
dc.subject | solar energy | en |
dc.subject | chemical reactions | en |
dc.subject | electric power | en |
dc.subject | електрична енергія | uk |
dc.subject | напруга | uk |
dc.subject | сонячна енергія | uk |
dc.subject | хімічні реакції | uk |
dc.title | Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters | en |
dc.title.alternative | Двошаровий ІТО/АІ тильно-поверхневий рефлектор для одноперехідних кремнієвих фотоперетворювачів | uk |
dc.type | Article | en |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
- Назва:
- FM_2008_15_4_Kopach_Double.pdf
- Розмір:
- 447.2 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 11.25 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: