Багатоперехідні кремнієві фотоперетворювачі як сенсори у системах оптичної локації

Abstract

Наведені результати експериментального та теоретичного дослідження можливост і використання багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) як сенсорів у системах оптичної локації. Експериментально встановлено, що досліджуваним багатоперехідним ФЕП притаманний лінійний характер спаду залежності напруги холостого ходу норм та струму короткого замикання норм зі збільшенням величини кута α надходження випромінювання до їх фотоприймальної поверхні. Запропоновані напрямки подальшого удосконалення конструкції багатоперехідних ФЕП, реалізація яких дозволить полегшити реєстрацію сигналу від сенсора вимірювальним приладом та більш гнучко керувати характером спаду залежності норм за рахунок спрямованого регулювання часу життя неосновних носіїв заряду у базових кристалах.

The results of theoretical and experimental researches of using multijunction silicon photo-voltaic converters (PVC) as sensors in optical location systems are presented. It is established, that investigated multijunction PVC has linear character of for increase of PVC efficiency is necessary to achieve the increased values of minority charge carriers lifetime in their base crystals and reflection coefficient from metal/Si interfaces inside multijunction PVC, while for using such PVC in systems for direction of radiation propagation determination the forced reduction of these values is reasonable.