Особенности формирования короткопериодных многослойных композиций W/B4C

Abstract

Методами малоугловой рентгеновской дифрактометрии в Cu-Kα-излучении и электронной микроскопии поперечных срезов изучались количественные характеристики межслоевого взаимодействия в многослойных периодических композициях W/B4C, изготовленных магнетронным напылением. Установлено, что на образование перемешанных зон на границах слоев расходуется приблизительно 0.85 nm толщины слоя вольфрама. Перемешанные слои имеют плотность 13.4 ± 0.7 g/cm3 и содержат вольфрам в связанном химически состоянии. Оценено влияние таких перемешанных зон на рентгеновскую отражательную способность многослойных композиций W/B4C. Предложен способ оценки толщины слоев при малом количестве пиков на дифрактограмме