Обеспечение заданного качества поверхности при алмазно-искровом шлифовании сверхтвердых материалов
Дата
2011
Автори
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
В работе рассмотрена возможность применения модели качества обработанной поверхности на основе анализа суммарного приведенного профиля алмазного круга для сверхтвердых материалов на примере ДСКМ «Томал-10». Показана высокая сходимость расчетных и практических значений шероховатости поверхности. Подтверждена возможность задания по требуемой шероховатости обработанной поверхности режимов обработки, гарантирующих это качество.
There was discussed the possibility of quality model of treated surface uding on the basis of total resulted type of diamond circle for superhards materials on the example of DSKM «Tomal-10». There was shown the high convergence of calculation and practical values of surface roughness. There was confirmed the possibility of required roughness of treated surface, which can guarantie the quality.
There was discussed the possibility of quality model of treated surface uding on the basis of total resulted type of diamond circle for superhards materials on the example of DSKM «Tomal-10». There was shown the high convergence of calculation and practical values of surface roughness. There was confirmed the possibility of required roughness of treated surface, which can guarantie the quality.
Опис
Ключові слова
алмазный круг, шероховатость поверхности, режим обработки, diamond circle, surface roughness, treated surface
Бібліографічний опис
Руднев А. В. Обеспечение заданного качества поверхности при алмазно-искровом шлифовании сверхтвердых материалов / А. В. Руднев // Резание и инструмент в технологических системах = Cutting & tool in technological system : междунар. науч.-техн. сб. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2011. – Вып. 79. – С. 205-211.