Оптимизация параметра состава Х по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой AlхGa1-хAs-InхGa1-хAs-GaAs
Loading...
Date
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
НТУ "ХПИ"
Abstract
Предложены аппроксимационные модели основных электрофизических параметров тройных
соединений AlхGa1-хAs и InхGa1-хAs при вариации параметра состава х. Исследовано влияние
на выходные характеристики параметра состава х, определены его оптимальные значения и
соответственно максимальный КПД тандемной гетероструктуры.
The approximating models of basic electrophysical parameters of triple compaunds AlхGa1-хAs and InхGa1-хAs at a composition parameter x variation are proposed. The influence of composition parameter x on output characteristics has been investigated, its optimum values and accordingly the maximum efficiency of tandem heterostructure are defined.
The approximating models of basic electrophysical parameters of triple compaunds AlхGa1-хAs and InхGa1-хAs at a composition parameter x variation are proposed. The influence of composition parameter x on output characteristics has been investigated, its optimum values and accordingly the maximum efficiency of tandem heterostructure are defined.
Description
Citation
Оптимизация параметра состава Х по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой AlхGa1-хAs-InхGa1-хAs-GaAs / Н. И. Слипченко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 54. – С. 144-152.