Оптимизация параметра состава Х по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой AlхGa1-хAs-InхGa1-хAs-GaAs

Abstract

Предложены аппроксимационные модели основных электрофизических параметров тройных соединений AlхGa1-хAs и InхGa1-хAs при вариации параметра состава х. Исследовано влияние на выходные характеристики параметра состава х, определены его оптимальные значения и соответственно максимальный КПД тандемной гетероструктуры.The approximating models of basic electrophysical parameters of triple compaunds AlхGa1-хAs and InхGa1-хAs at a composition parameter x variation are proposed. The influence of composition parameter x on output characteristics has been investigated, its optimum values and accordingly the maximum efficiency of tandem heterostructure are defined.