Оптимизация параметра состава Х по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой AlхGa1-хAs-InхGa1-хAs-GaAs
dc.contributor.author | Слипченко, Н. И. | ru |
dc.contributor.author | Письменецкий, В. А. | ru |
dc.contributor.author | Фролов, А. В. | ru |
dc.contributor.author | Лукьяненко, В. Л. | ru |
dc.contributor.author | Гуртовой, М. Ю. | ru |
dc.date.accessioned | 2015-10-16T09:46:51Z | |
dc.date.available | 2015-10-16T09:46:51Z | |
dc.date.issued | 2011 | |
dc.description.abstract | Предложены аппроксимационные модели основных электрофизических параметров тройных соединений AlхGa1-хAs и InхGa1-хAs при вариации параметра состава х. Исследовано влияние на выходные характеристики параметра состава х, определены его оптимальные значения и соответственно максимальный КПД тандемной гетероструктуры. | ru |
dc.description.abstract | The approximating models of basic electrophysical parameters of triple compaunds AlхGa1-хAs and InхGa1-хAs at a composition parameter x variation are proposed. The influence of composition parameter x on output characteristics has been investigated, its optimum values and accordingly the maximum efficiency of tandem heterostructure are defined. | en |
dc.identifier.citation | Оптимизация параметра состава Х по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой AlхGa1-хAs-InхGa1-хAs-GaAs / Н. И. Слипченко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 54. – С. 144-152. | ru |
dc.identifier.uri | https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17493 | en |
dc.language.iso | ru | |
dc.publisher | НТУ "ХПИ" | ru |
dc.subject | тандемные гетероструктуры | ru |
dc.subject | оптимальный ток | ru |
dc.subject | солнечное излучение | ru |
dc.subject | коэффициент поглощения | ru |
dc.subject | tandem heterostructure | en |
dc.subject | photoconverters | en |
dc.subject | optimum current | en |
dc.title | Оптимизация параметра состава Х по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой AlхGa1-хAs-InхGa1-хAs-GaAs | ru |
dc.type | Article | en |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
- Назва:
- vestnik_HPI_2011_54_Slipchenko_Optimizatsiya.pdf
- Розмір:
- 502.23 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 11.23 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: