Влияние уровня освещенности на выходные параметры солнечных элементов на основе CdS/CdTe

Abstract

Приведены результаты исследований влияния уровня освещенности на выходные параметры солнечных элементов на основеCdS/CdTe с тыльными контактами, изготовленными согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании полученных результатов выходных параметров и световых диодных характеристик обоснован выбор оптимального конструктивно-технологического решения тыльных контактов к солнечным элементам на основе CdS/CdTe. Показано, что использование нанослоя Cu позволяет получить деградационно-стойкие солнечные элементы, которые демонстрирую максимальную эффективность при уровне освещенности характерной для Харьковской области.

The paper discusses issues related to the study of the effect of light levels on the efficiency of solar cells based on CdS/CdTe with the back contacts that contain Cu and which are made without Cu layer. The result of the study have output parameters and light-diode characteristics of solar cells ITO/CdS/CdTe/Cu/Au and ITO/CdS/CdTe/Au at different light levels. For the first time it found that the absence of the copper layer on the back surface efficiency ITO/CdS/CdTe/Cu/Au film solar cell is limited to a level of 3–4 %. In forming the low-resistance tunnel junction Cu/Au efficiency of solar cells based on ITO/CdS/CdTe increases to 10.4 %. Maximum efficiency of laboratory samples of solar cells is fixed at the power of solar radiation of 70 mW/cm2, which corresponds to the power of solar radiation, which is typical for the area of Kharkiv region.