Гальванічний елемент мангано-магнієвої системи
Loading...
Date
item.page.orcid
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
ДП "Український інститут промислової власності"
Abstract
Гальванічний елемент мангано-магнієвої системи, який містить анод з магнієвого сплаву, катод з діоксиду мангану та електроліт на основі загущеного хлориду натрію, який відрізняється тим, що магнієвий анод містить 2-3 % РЬ, а до складу електроліту додатково вводять хлористий амоній та хлорамін Б у наступному співвідношенні компонентів (г/дм³): натрію хлорид 10; амонію хлорид 8-12; хлорамін Б 0,3-0,7.
Description
Citation
Пат. 5572 Україна, 7 Н01М6/00. Гальванічний елемент мангано-магнієвої системи [Текст] / Б. І. Байрачний, Ю. І. Коваленко ; патентовласник Нац. техн. ун-т "ХПІ". – № 20040705638 ; заяв. 12.07.2004 ; публ. 15.03.2005, Бюл. № 3, 2005 р. – 2 с.
