Гальванічний елемент мангано-магнієвої системи

Loading...
Thumbnail Image

Date

item.page.orcid

DOI

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

ДП "Український інститут промислової власності"

Abstract

Гальванічний елемент мангано-магнієвої системи, який містить анод з магнієвого сплаву, катод з діоксиду мангану та електроліт на основі загущеного хлориду натрію, який відрізняється тим, що магнієвий анод містить 2-3 % РЬ, а до складу електроліту додатково вводять хлористий амоній та хлорамін Б у наступному співвідношенні компонентів (г/дм³): натрію хлорид 10; амонію хлорид 8-12; хлорамін Б 0,3-0,7.

Description

Citation

Пат. 5572 Україна, 7 Н01М6/00. Гальванічний елемент мангано-магнієвої системи [Текст] / Б. І. Байрачний, Ю. І. Коваленко ; патентовласник Нац. техн. ун-т "ХПІ". – № 20040705638 ; заяв. 12.07.2004 ; публ. 15.03.2005, Бюл. № 3, 2005 р. – 2 с.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By