Back surface reflector optimization for thin single crystalline silicon solar cells

Abstract

It has been shown that for single crystalline silicon solar cells (Si-SC) with 180-200 μm thick base crystals, the optimum back surface reflector (BSR) is TiO₂/Al with 0.18 μm thick oxide layer. At such BSR, the reflection coefficient for photoelectric active sunlight reaching the back surface of Si-SC at 0.88-1.11 μm wavelengths attains 81 to 92 % against of 71 to 87 % at direct Al contact with back surface of silicon base crystal.

Було показано, що для монокристалічних кремнієвих сонячних елементів (Si-SC) з базовими кристалами товщиною 180-200 мкм оптимальним відбивачем задньої поверхні (BSR) є TiO₂/Al з шаром оксиду товщиною 0,18 мкм. При такому BSR коефіцієнт відбиття фотоелектричного активного сонячного світла, що досягає тильної поверхні Si-SC на довжинах хвиль 0,88-1,11 мкм, досягає 81-92 % проти 71-87 % при прямому контакті Al із тильною поверхнею кремнієвого базового кристала.