Structure and optical properties of CdS polycrystalline layers for solar cells based on CdS/CdTe
Loading...
Date
item.page.orcid
item.page.doi
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів"
Abstract
Thin CdS films about 200-500 nm thick with stable hexagonal modification with 85-80 % transparency value respectively in the visible and infrared spectrum regions were investigated. The use of the FTO sublayer to obtain heterosystem glass/FTO/CdS by magnetron sputtering does not affect the phase composition of the cadmium sulfide layer and the width of the band gap (Eg = 2.42-2.44 eV). Cadmium sulfide thin films, obtained by direct current magnetron sputtering, can be used as a layer of a wide window layer in thin-film solar cells based on the CdS/CdTe heterosystem.
Досліджено тонкі плівки CdS товщина порядку 200-500 нм стабільної гексагональної модифікації зі значенням коефіцієнта прозорості 85-80% відповідно у видимій та інфрачервоній області спектра.Використання підшару FTO для отримання гетеросистем скло / FTO / CdS магнетронним розпиленням на постійному струмі не впливає на фазовий склад шару сульфіду кадмію та значення ширини забороненої зони матеріалу (Eg = 2.42-2.44 eV). Тонкі плівки сульфіду кадмію, отримані методом магнетронного розпилення на постійному струмі, можуть бути використані в якості шару широкозонного вікна в тонкоплівкових сонячних елементах на основі гетеросистеми CdS/CdTe.
Досліджено тонкі плівки CdS товщина порядку 200-500 нм стабільної гексагональної модифікації зі значенням коефіцієнта прозорості 85-80% відповідно у видимій та інфрачервоній області спектра.Використання підшару FTO для отримання гетеросистем скло / FTO / CdS магнетронним розпиленням на постійному струмі не впливає на фазовий склад шару сульфіду кадмію та значення ширини забороненої зони матеріалу (Eg = 2.42-2.44 eV). Тонкі плівки сульфіду кадмію, отримані методом магнетронного розпилення на постійному струмі, можуть бути використані в якості шару широкозонного вікна в тонкоплівкових сонячних елементах на основі гетеросистеми CdS/CdTe.
Description
Citation
Structure and optical properties of CdS polycrystalline layers for solar cells based on CdS/CdTe / G. S. Khrypunov [et al.] // Functional Materials. – 2019. – Vol. 26, № 1. – P. 23-26.