Физико-химические основы процесса получения диоксида кремния из рисовой шелухи

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГриднева, Т. В.ru
dc.contributor.authorСорока, П. И.ru
dc.contributor.authorТертышный, О. А.ru
dc.date.accessioned2015-12-23T10:41:55Z
dc.date.available2015-12-23T10:41:55Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractВстановлені технологічні параметри процесу та розроблені способи одержання силіцій (ІV) оксиду з рисового лушпиння. Проведені термодинамічні, кінетичні та експериментальні дослідження. На підставі термодинамічного аналізу процесу термічної обробки рисового лушпиння (РЛ) встановлена принципова можливість одержання силіцій (ІV) оксиду з РЛ, температурний інтервал існування максимальної концентрації силіцій (ІV) оксиду. На основі проведених експериментальних досліджень визначені технологічні параметри процесу одержання силіцій (ІV) оксиду.uk
dc.description.abstractTechnological parameters of process have been established and ways of reception dioxide silicon from a rice peel are developed. Are spent thermodynamic, kinetic and experimental researches. For reception dioxide silicon from a rice peel of the raised cleanliness, it is necessary preliminary chemical processing. Based on the spent experimental researches technological parameters of process of reception dioxide silicon have been defined.en
dc.identifier.citationГриднева Т. В. Физико-химические основы процесса получения диоксида кремния из рисовой шелухи / Т. В. Гриднева, П. И. Сорока, О. А. Тертышный // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2010. – № 10. – С. 124-134.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/19019
dc.language.isoru
dc.publisherНТУ "ХПИ"ru
dc.subjectРШru
dc.subjectпьезоэлектрические свойстваru
dc.subjectпищевая промышленностьru
dc.subjectпищевая добавкаru
dc.subjectчастицыru
dc.subjectтермическая обработкаru
dc.titleФизико-химические основы процесса получения диоксида кремния из рисовой шелухиru
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
vestnik_HPI_2010_10_Gridneva_Fiziko.pdf
Розмір:
277.01 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.21 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник № 10