Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
dc.contributor.author | Zaitsev, R. V. | en |
dc.contributor.author | Kirichenko, M. V. | en |
dc.contributor.author | Doroshenko, A. N. | en |
dc.contributor.author | Khrypunov, G. S. | en |
dc.date.accessioned | 2022-09-22T18:24:10Z | |
dc.date.available | 2022-09-22T18:24:10Z | |
dc.date.issued | 2011 | |
dc.description.abstract | Using the computer simulation method it was studied the dependences of nonequili-brium electrons lifetime from concentration of elementary bulk point defects and various complexes of the bulk point defects, which may be present in the diode structures based on p-type conductivity boron doped silicon crystals with 10 Ohm-cm resistivity, grown by the Czochralski method. A number of obtained results well correlated with the experimental data related to the effects of photon degradation in solar cells which based on considered type silicon crystals (Si-SC) and influence of a stationary magnetic field on such devices efficiency. Overall, our results provide additional possibility for the evolution features prediction of electronic, and consequently, functional parameters, not only for Si-SC, but also for other devices based on such diode structures. It will allow looking for the most efficient and cost effective ways to optimize their design-technological solutions, and also estimates their reliability and durability level. | en |
dc.description.abstract | Методом комп’ютерного моделювання досліджено залежності часу життя нерівноважних електронів від концентрації елементарних об’ємних точкових дефектів та різноманітних комплексів об’ємних точкових дефектів, які можуть бути присутніми в діодних структурах на основі кристалів кремнію, легованих бором p-типу провідності. з питомим опором 10 Ом-см, вирощений методом Чохральського. Ряд отриманих результатів добре корелював з експериментальними даними щодо ефектів фотонної деградації в сонячних елементах на основі кристалів кремнію розглянутого типу (Si-SC) та впливу стаціонарного магнітного поля на ефективність таких пристроїв. Загалом, наші результати надають додаткові можливості для прогнозування еволюційних особливостей електронних, а отже, і функціональних параметрів не лише для Si-SC, але й для інших пристроїв на основі таких діодних структур. Це дозволить шукати найбільш ефективні та економічно вигідні шляхи оптимізації їх конструкторсько-технологічних рішень, а також оцінює рівень їх надійності та довговічності. | uk |
dc.identifier.citation | Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon / R. V. Zaitsev [et al.] // Functional materials. – 2011. – Vol. 18, No.4. – P. 497-503. | en |
dc.identifier.orcid | https://orcid.org/0000-0003-2286-8452 | |
dc.identifier.orcid | https://orcid.org/0000-0002-4847-506X | |
dc.identifier.orcid | https://orcid.org/0000-0002-6448-5938 | |
dc.identifier.uri | https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58123 | |
dc.language.iso | en | |
dc.publisher | Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals" | en |
dc.subject | single-crystal silicon | en |
dc.subject | point defects | en |
dc.subject | computer simulation | en |
dc.subject | Czochralski method | en |
dc.subject | magnetic field | en |
dc.subject | хімічні реакції | uk |
dc.subject | комп'ютерне моделювання | uk |
dc.subject | електрони | uk |
dc.subject | фотоелектричні перетворювачі | uk |
dc.subject | метод Чохральського | uk |
dc.subject | магнітне поле | uk |
dc.title | Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon | en |
dc.title.alternative | Залежність часу життя неосновних носіїв заряду від типу та концентрації точкових дефектів у монокристалічному кремнії | uk |
dc.type | Article | en |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
- Назва:
- FM_2011_18_4_Zaitsev_Dependence.pdf
- Розмір:
- 402.78 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 11.25 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: