Методические указания к лабораторной работе "Анодное окисление металлов и полупроводников"

Abstract

Анодными оксидами или анодными оксидными пленками (АОП) принято называть оксидные слои, которые образуются на поверхности металлов и полупроводников при их анодной поляризации в растворах электролитов, расплавах солей, плазме газового разряда в кислороде и в контакте с некоторыми твердыми электролитами, обладающими ионной проводимостью по кислороду. В электронной промышленности широкое применение находят диэлектрические АОП. Таковыми являются анодные оксиды, образованные на алюминии, тантале, ниобии, кремнии. Эти оксиды в системах металл-оксид-металл (МОМ), металл-оксид-электролит (МОЭ), металл-оксид-полупроводник (МОП) проявляют асимметрию проводимости, т.е. обладают вентильными свойствами. Реально оксиды всех металлов в МОЭ-системах в той или иной степени проявляют вентильные свойства. Тем не менее, исторически «вентильными» называют металлы и полупроводники, на которых образуются АОП с хорошими диэлектрическими свойствами (электрическое сопротивление ≥1014 Ом·м, электрическая прочность ≥108 В·м-1, ширина запрещенной зоны >3 эВ). Типичными представители группы вентильных материалов являются металлы Al, Ta, Nb, Zr, Si и полупроводники InSb, InAs, GaAs.