Взаимодействие собственных колебаний двумерного (2D) электронного газа с потоком заряженных частиц в условиях действия электромагнитного излучения

Abstract

В работе получено кинетическое уравнение для поверхностных плазмонов 2D системы, описывающее их взаимодействие с электронным потоком, движущимся по нормали к границе раздела сред. Предполагается, что газ локализован вблизи дельтовидной потенциальной ямы. Найден инкремент неустойчивости. Величина инкремента обратно пропорциональна времени пролета частиц сквозь 2D электронную систему. Получены аналитические решения задач взаимодействия токов, приведенных внешним электромагнитным излучением, с собственными электромагнитными колебаниями структур комплектующих полупроводниковые приборы, в условиях режима неустойчивости (генерации) колебаний. Определены расчетные соотношения для количественных характеристик обратных отказов (степени отклонения ВАХ от нормы) полупроводниковых приборов в зависимости от параметров внешнего электромагнитного излучения и физических качеств материалов, комплектующих приборы.

The paper obtained kinetic equation for surface plasmons 2D system, describing their interaction with the electron flow, which moves along the normal to the limit distribution environments. It is assumed that the gas is localized near the potential well of the deltoid. Found instability increment. The value of the growth rate is inversely proportional to the time of flight of the particles through the 2D electron system. The analytical solution of problems of interaction of currents given external electromagnetic radiation, electromagnetic waves with their own structures of components, semiconductor devices in a mode of instability (generation) oscillations.