Finite element analysis of changing of stress condition caused by diamond burnishing
Дата
2024
Автори
DOI
doi.org/10.20998/2078-7405.2024.100.10
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"
Анотація
The article is aspected to the finite element modelling of stress in subsurface layer of aluminium alloy workpiece during diamond burnishing process. This cold forming process is a simple, cost-effective finishing method that can be used to improve surface integrity and provide compressive residual stress. Available with these, durability and quality enhancement of the components can be reached, but improperly chosen burnishingparameters can distort the efficiency of the plastic deformation process.
Статтю присвячено скінченно-елементному моделюванню напружень у підповерхневому шарі заготовки з алюмінієвого сплаву в процесі алмазного вигладжування. Цей процес холодного формоутворення є простим, економічно ефективним методом обробки, який можна використовувати для покращення цілісності поверхні та забезпечення залишкових напружень стиснення. З ними можна досягти довговічності та підвищення якості компонентів, але неправильно підібрані параметри вигладжування можуть спотворити ефективність процесу пластичної деформації.
Опис
Ключові слова
finite element modelling, diamond burnishing, surface integrity, plastic deformation, алмазне вигладжування, цілісність поверхні, пластична деформація, скінченно-елементне моделювання, механічна обробка
Бібліографічний опис
Ferencsik V. Finite element analysis of changing of stress condition caused by diamond burnishing / V. Ferencsik // Різання та інструменти в технологічних системах = Cutting & tools in technological systems : міжнар. наук.-техн. зб. – Харків : НТУ "ХПІ", 2024. – Вип. 100. – С. 139-147