Теоретическое исследование зонной структуры 2H-SiC

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСинельник, А. В.
dc.contributor.authorСеменов, А. В.
dc.date.accessioned2023-11-07T08:55:26Z
dc.date.available2023-11-07T08:55:26Z
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationСинельник А. В. Теоретическое исследование зонной структуры 2H-SiC / А. В. Синельник, А. В. Семенов // Інформаційні технології: наука, техніка, технологія, освіта, здоров'я = Information technologies: science, engineering, technology, education, health : наук. вид. : тези доп. 28-ї міжнар. наук.-практ. конф. MicroCAD–2020, [28-30 жовтня 2020 р.] : у 5 ч. Ч. 1 / ред. Є. І. Сокол. – Харків : Планета-Прінт, 2020. – С. 343.
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/70513
dc.language.isoru
dc.publisherНаціональний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"
dc.subjectкарбид кремния
dc.subjectполитипы SiC
dc.subjectрасчет энергетической структуры электронов
dc.titleТеоретическое исследование зонной структуры 2H-SiC
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
MicroCAD_2020_Sinelnik_Teoreticheskoe.pdf
Розмір:
202.01 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
11.28 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Інформаційні технології: наука, техніка, технологія, освіта, здоров'я. 2020