Выбор драйверов силовых транзисторов в преобразователях, используемых в качестве управляемых драйверов светодиодов

Abstract

Данная статья представляет собой описание одного из этапов разработки преобразователя (драйвера светодиодов), работающего по новым принципам в режиме амплитудного регулирования. Описаны принципы построения драйверов силовых транзисторов для схемы, в которой оба MOSFET транзистора являются n-канальными. Рассмотрена так же схема, в которой один из транзисторов заменен на р-канальный MOSFET. Использование р-канального транзистора позволяет избавиться от использования гальванически развязанного блока питания для драйвера транзистора верхнего плеча. В последней части статьи приведены расчеты потерь драйверов транзисторов, что позволяет судить о целесообразности использования того или иного подхода в зависимости от конфигурации преобразователя и области его применения. С точки зрения потерь схему с p-канальным транзистором выгоднее использовать при низком входном напряжении (порядка 12-25 В).

This paper represents one of the development stages of the converter (LED driver) operating in amplitude mode light regulation. The principles of construction of the MOSFET driver circuits for the schematic with two n-channel MOSFET transistors are described. Also the schematic where high side transistor is substituted with p-channel transistor is considered. Utilization of the p-channel transistor allows eliminating necessity of using of isolated power supply for driver of the high side transistor. In the last section of the article the losses in driver circuitsare considered. This allows evaluating the scope of application for both considered approaches. From point of view of losses in driver circuits it is preferable to use schematic with p-channel transistor at lower input voltages (in range of 12-30 V).