Amplitude-time characteristics of switching in thin films of cadmium telluride

Abstract

The amplitudetime characteristics of switching in thin films of cadmium telluride were investigated when single impulses of 1 μs duration are applied. It has been experimentally established that with an increase in the thickness of the cadmium telluride layer from 3 μm to 8 μm, an increase in the operating threshold from 70 V to 105 V is observed. The maximum residual sample voltage varies from 12 V to 40 V, the minimum – from 5 V to 20 V. The switching time of the samples was no more than 2 nanoseconds; the interelectrode capacity of the samples was no more than 2 pF. All the test samples were operated without failure 20 times. The structural studies of cadmium telluride films by the method of X-ray diffractometry and scanning electron microscopy have made it possible to propose a mechanism for realizing the monostable switching of the columnar structure of cadmium telluride films oriented in the form of melted high-conductivity channels in grains oriented in the direction.

Були досліджені амплітудно-часові характеристики перемикання в тонких плівках телуриду кадмію при подачі одиночних імпульсів тривалістю 1 мкс. Експериментально встановлено, що з ростом товщини шару телуриду кадмію від 3 мкм до 8 мкм спостерігається збільшення порогу спрацьовування від 70 В до 105 В. Максимальна залишкова напруга на зразку змінюється від 12 В до 40 В, мінімальна – від 5 В до 20 В. Час перемикання зразків становив не більше 2 нсек, міжелектродна ємність зразків не більше 2 пФ. Всі досліджувані зразки спрацювали без відмови 20 разів. Проведені структурні дослідження плівок телуриду кадмію методом рентгенівської дифрактометрії та растрової електронної мікроскопії дозволили запропонувати механізм реалізації моностабільного перемикання обумовленого утворенням розплавлених високопровідних каналів в зернах стовпчатої структури плівок телуриду кадмію, орієнтованих в напрямку.