Amplitude-time characteristics of switching in thin films of cadmium telluride

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKhrypunov, M. G.en
dc.contributor.authorZaitsev, R. V.en
dc.contributor.authorKudii, D. A.en
dc.contributor.authorKhrypunova, A. L.en
dc.date.accessioned2019-04-09T07:09:07Z
dc.date.available2019-04-09T07:09:07Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractThe amplitudetime characteristics of switching in thin films of cadmium telluride were investigated when single impulses of 1 μs duration are applied. It has been experimentally established that with an increase in the thickness of the cadmium telluride layer from 3 μm to 8 μm, an increase in the operating threshold from 70 V to 105 V is observed. The maximum residual sample voltage varies from 12 V to 40 V, the minimum – from 5 V to 20 V. The switching time of the samples was no more than 2 nanoseconds; the interelectrode capacity of the samples was no more than 2 pF. All the test samples were operated without failure 20 times. The structural studies of cadmium telluride films by the method of X-ray diffractometry and scanning electron microscopy have made it possible to propose a mechanism for realizing the monostable switching of the columnar structure of cadmium telluride films oriented in the form of melted high-conductivity channels in grains oriented in the direction.en
dc.description.abstractБули досліджені амплітудно-часові характеристики перемикання в тонких плівках телуриду кадмію при подачі одиночних імпульсів тривалістю 1 мкс. Експериментально встановлено, що з ростом товщини шару телуриду кадмію від 3 мкм до 8 мкм спостерігається збільшення порогу спрацьовування від 70 В до 105 В. Максимальна залишкова напруга на зразку змінюється від 12 В до 40 В, мінімальна – від 5 В до 20 В. Час перемикання зразків становив не більше 2 нсек, міжелектродна ємність зразків не більше 2 пФ. Всі досліджувані зразки спрацювали без відмови 20 разів. Проведені структурні дослідження плівок телуриду кадмію методом рентгенівської дифрактометрії та растрової електронної мікроскопії дозволили запропонувати механізм реалізації моностабільного перемикання обумовленого утворенням розплавлених високопровідних каналів в зернах стовпчатої структури плівок телуриду кадмію, орієнтованих в напрямку.uk
dc.identifier.citationAmplitude-time characteristics of switching in thin films of cadmium telluride / M. G. Khrypunov [et al.] // Журнал нано- и электронной физики = Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2018. – Т. 10, № 1. – С. 01016-1–01016-5.en
dc.identifier.doi10.21272/jnep.10(1).01016
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/40599
dc.language.isoen
dc.publisherСумський державний університетuk
dc.subjectcadmium telluride filmsen
dc.subjectamplitude-time characteristicsen
dc.subjectX-ray diffractometryen
dc.subjectscanning electron microscopyen
dc.subjectmelted high-conductivity channelen
dc.subjectплівки телуриду кадміюuk
dc.subjectамплітудно-часові характеристикиuk
dc.subjectрентгенівська дифрактометріяuk
dc.subjectрастрова електронна мікроскопіяuk
dc.subjectрозплавлений високопровідний каналuk
dc.titleAmplitude-time characteristics of switching in thin films of cadmium tellurideen
dc.title.alternativeАмплітудно-часові характеристики перемикання в тонких плівках телуриду кадміюuk
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
JNEP_2018_10_1_Khrypunov_Amplitude-time.pdf
Розмір:
277.99 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Кафедра "Природничі науки"
Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"