Кестеритные слои, полученные сульфуризацией электроосажденных металлических прекурсоров

Abstract

Исследованы фазовый состав, кристаллическая структура и морфология поверхности электрохимически осажденных стопок из пленок меди, олова и цинка в качестве металлических прекурсоров. Выполнен подбор оптимальных последовательностей чередования металлических пленок в прекурсорах и атомных соотношений компонентов электроосажденных прекурсоров, обеспечивающих максимальное содержание и приемлемые структурные параметры кристаллической фазы кестерита в слоях, синтезированных в процессе сульфуризации. Представлены результаты синтеза кестеритных слоев путем сульфуризации прекурсоров. Методом количественного рентген-дифрактометрического анализа определено содержание кестерита Cu₂ZnSnS₄ в синтезированных слоях. Исследованы оптические свойства синтезированного образца, содержащего 85 % фазы кестерита. Показаны направления усовершенствования предлагаемой технологии с целью создания базовых кестеритных слоев для перспективных эффективных, дешевых и доступных солнечных элементов нового поколения.

The phase composition, crystal structure and surface morphology of the electrochemically deposited copper, tin and zinc film stacks as metal precursors are presented. The selection of the optimal sequence of the alternating metal films in the precursors and atomic ratios of the electrodeposited precursor components providing maximum acceptable content and structural parameters of the kesterite crystalline phase in the layers synthesized during their sulfurization has been made. The results of the kesterite layers syntheses by sulfurization of the precursors have been shown. Quantitative X-ray diffraction was carried out to determine the content of kesterite Cu₂ZnSnS₄ phase in the synthesized layers. The optical properties of the synthesized sample containing 85 % kesterite phase were researched. The directions for the improvement of the proposed technology to create the base layers for advanced effective, cheap and affordable kesterite solar cells of a new generation are proposed.