Дослідження температурної стабільності еквівалента індуктивності на основі одноперехідної транзисторної структури
Loading...
Date
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
НТУ "ХПІ"
Abstract
Проведено оцінку характеру температурної залежності параметрів фізичної еквівалентної схеми одноперехідної транзисторної структури, проаналізована температурна стабільність еквівалента індуктивності.
The estimation of the nature of temperature dependence of parameters of physical equivalent circuit unijunction transistor structure was made, temperature stability of the equivalent inductance was analyzed.
The estimation of the nature of temperature dependence of parameters of physical equivalent circuit unijunction transistor structure was made, temperature stability of the equivalent inductance was analyzed.
Description
Keywords
Citation
Дослідження температурної стабільності еквівалента індуктивності на основі одноперехідної транзисторної структури / Л. Б. Ліщинська [та ін.] // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Темат. вип. : Автоматика та приладобудування. – Харків : НТУ "ХПІ". – 2011. – № 11. – С. 94-99.
