Дослідження температурної стабільності еквівалента індуктивності на основі одноперехідної транзисторної структури

Loading...
Thumbnail Image

Date

ORCID

DOI

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

НТУ "ХПІ"

Abstract

Проведено оцінку характеру температурної залежності параметрів фізичної еквівалентної схеми одноперехідної транзисторної структури, проаналізована температурна стабільність еквівалента індуктивності.
The estimation of the nature of temperature dependence of parameters of physical equivalent circuit unijunction transistor structure was made, temperature stability of the equivalent inductance was analyzed.

Description

Citation

Дослідження температурної стабільності еквівалента індуктивності на основі одноперехідної транзисторної структури / Л. Б. Ліщинська [та ін.] // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Темат. вип. : Автоматика та приладобудування. – Харків : НТУ "ХПІ". – 2011. – № 11. – С. 94-99.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By