Дослідження температурної стабільності еквівалента індуктивності на основі одноперехідної транзисторної структури
Вантажиться...
Дата
2011
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПІ"
Анотація
Проведено оцінку характеру температурної залежності параметрів фізичної еквівалентної схеми одноперехідної транзисторної структури, проаналізована температурна стабільність еквівалента індуктивності.
The estimation of the nature of temperature dependence of parameters of physical equivalent circuit unijunction transistor structure was made, temperature stability of the equivalent inductance was analyzed.
The estimation of the nature of temperature dependence of parameters of physical equivalent circuit unijunction transistor structure was made, temperature stability of the equivalent inductance was analyzed.
Опис
Ключові слова
залежність температурна, мікроелектроніка, аналіз
Бібліографічний опис
Дослідження температурної стабільності еквівалента індуктивності на основі одноперехідної транзисторної структури / Л. Б. Ліщинська [та ін.] // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Темат. вип. : Автоматика та приладобудування. – Харків : НТУ "ХПІ". – 2011. – № 11. – С. 94-99.