Дослідження температурної стабільності еквівалента індуктивності на основі одноперехідної транзисторної структури

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЛіщинська, Л. Б.uk
dc.contributor.authorБарабан, М. В.uk
dc.contributor.authorЧехместрук, Р. Ю.uk
dc.contributor.authorФілинюк, М. А.uk
dc.date.accessioned2014-12-22T10:00:56Z
dc.date.available2014-12-22T10:00:56Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractПроведено оцінку характеру температурної залежності параметрів фізичної еквівалентної схеми одноперехідної транзисторної структури, проаналізована температурна стабільність еквівалента індуктивності.uk
dc.description.abstractThe estimation of the nature of temperature dependence of parameters of physical equivalent circuit unijunction transistor structure was made, temperature stability of the equivalent inductance was analyzed.en
dc.identifier.citationДослідження температурної стабільності еквівалента індуктивності на основі одноперехідної транзисторної структури / Л. Б. Ліщинська [та ін.] // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Темат. вип. : Автоматика та приладобудування. – Харків : НТУ "ХПІ". – 2011. – № 11. – С. 94-99.uk
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/10983
dc.language.isouk
dc.publisherНТУ "ХПІ"uk
dc.subjectзалежність температурнаuk
dc.subjectмікроелектронікаuk
dc.subjectаналізuk
dc.titleДослідження температурної стабільності еквівалента індуктивності на основі одноперехідної транзисторної структуриuk
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
vestnik_HPI_2011_11_Lishchynska_Doslidzhennia.pdf
Розмір:
266.25 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.23 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Вісник № 11