Single-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field
Дата
2010
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals"
Анотація
It is established in experiment that efficiency of unijunction (UJ) single-crystal silicon solar cells (Si-SC) with horizontal n⁺-p-p⁺ diode structure may increase by a factor of approximately 1.1 after their holding at room temperature during 7 days in perpendicularly oriented stationary magnetic field with 0.2 T induction. The subsequent stabilizing of the obtained positive effect is shown to be realizable by attachment of a thin magnetic vinyl layer (creating in the UJ Si-SC base crystal a magnetic field with induction not exceeding 0.05 T) to the UJ Si-SC at the back electrode side.
Експериментально встановлено, що ККД одноперехідних (ОП) монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП) з горизонтальною діодною n⁺-p-p⁺ структурою може зростати приблизно у 1,1 рази після їх витримування при кімнатній температурі протягом 7 діб у перпендикулярно орієнтованому стаціонарному магнітному полі з індукцією 0,2 Тл. Показано можливість наступної стабілізації досягнутого позитивного ефекту за рахунок пристикування до ОП Si-ФЕП з боку тилового електроду тонкого шару магнітного вінілу, який створює у базовому кристалі магнітне поле з індукцією не більше 0,05 Тл.
Експериментально встановлено, що ККД одноперехідних (ОП) монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП) з горизонтальною діодною n⁺-p-p⁺ структурою може зростати приблизно у 1,1 рази після їх витримування при кімнатній температурі протягом 7 діб у перпендикулярно орієнтованому стаціонарному магнітному полі з індукцією 0,2 Тл. Показано можливість наступної стабілізації досягнутого позитивного ефекту за рахунок пристикування до ОП Si-ФЕП з боку тилового електроду тонкого шару магнітного вінілу, який створює у базовому кристалі магнітне поле з індукцією не більше 0,05 Тл.
Опис
Ключові слова
single-crystal silicon solar cells, electrode, magnetic field, induction, коефіцієнт корисної дії, електрична енергія, індукція, напруга
Бібліографічний опис
Single-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field / R. V. Zaitsev [et al.] // Functional materials. – 2010. – Vol. 17, No.4. – P. 554-557.