Single-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field
dc.contributor.author | Zaitsev, R. V. | en |
dc.contributor.author | Kopach, V. R. | en |
dc.contributor.author | Kirichenko, M. V. | en |
dc.contributor.author | Lukyanov, E. O. | en |
dc.contributor.author | Khrypunov, G. S. | en |
dc.contributor.author | Samofalov, V. N. | en |
dc.date.accessioned | 2022-09-22T09:57:14Z | |
dc.date.available | 2022-09-22T09:57:14Z | |
dc.date.issued | 2010 | |
dc.description.abstract | It is established in experiment that efficiency of unijunction (UJ) single-crystal silicon solar cells (Si-SC) with horizontal n⁺-p-p⁺ diode structure may increase by a factor of approximately 1.1 after their holding at room temperature during 7 days in perpendicularly oriented stationary magnetic field with 0.2 T induction. The subsequent stabilizing of the obtained positive effect is shown to be realizable by attachment of a thin magnetic vinyl layer (creating in the UJ Si-SC base crystal a magnetic field with induction not exceeding 0.05 T) to the UJ Si-SC at the back electrode side. | en |
dc.description.abstract | Експериментально встановлено, що ККД одноперехідних (ОП) монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП) з горизонтальною діодною n⁺-p-p⁺ структурою може зростати приблизно у 1,1 рази після їх витримування при кімнатній температурі протягом 7 діб у перпендикулярно орієнтованому стаціонарному магнітному полі з індукцією 0,2 Тл. Показано можливість наступної стабілізації досягнутого позитивного ефекту за рахунок пристикування до ОП Si-ФЕП з боку тилового електроду тонкого шару магнітного вінілу, який створює у базовому кристалі магнітне поле з індукцією не більше 0,05 Тл. | uk |
dc.identifier.citation | Single-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field / R. V. Zaitsev [et al.] // Functional materials. – 2010. – Vol. 17, No.4. – P. 554-557. | en |
dc.identifier.orcid | https://orcid.org/0000-0003-2286-8452 | |
dc.identifier.orcid | https://orcid.org/0000-0002-4847-506X | |
dc.identifier.orcid | https://orcid.org/0000-0002-6448-5938 | |
dc.identifier.uri | https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58113 | |
dc.language.iso | en | |
dc.publisher | Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals" | en |
dc.subject | single-crystal silicon solar cells | en |
dc.subject | electrode | en |
dc.subject | magnetic field | en |
dc.subject | induction | en |
dc.subject | коефіцієнт корисної дії | uk |
dc.subject | електрична енергія | uk |
dc.subject | індукція | uk |
dc.subject | напруга | uk |
dc.title | Single-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field | en |
dc.title.alternative | Підвищення ККД монокристалічних кремнієвих фотоперетворювачів у магнітному полі | uk |
dc.type | Article | en |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
- Назва:
- FM_2010_17_4_Zaitsev_Single_crystal.pdf
- Розмір:
- 714.18 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 11.25 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: