Методичні вказівки до виконання комплексної практичної роботи "Комп'ютерне моделювання процесів іонної імплантації, розпилення та іонно-променевого перемішування"
Вантажиться...
Дата
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник/консультант
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"
Анотація
Дане видання є методичними вказівками до комплексної практичної роботи «Комп’ютерне моделювання процесів іонної імплантації, розпилення та іонно-променевого перемішування» за курсом «Радіаційна стійкість матеріалів». Мета роботи – придбання навичок моделювання процесів, що відбуваються під час іонної імплантації, за допомогою програмного пакету SRIM. SRIM – це комплект програм, який дозволяє обчислювати місце зупинки та пробіг іонів з енергією від 10 еВ/аом до 2 ГеВ/аом (аом – атомна одиниця маси) у твердих тілах за допомогою квантово-механічного опису іонно-атомних зіткнень. Надалі, під словом "іон" мається на увазі рухомий атом, а під словом "атом" - атом мішені. Взаємодія іона і атома в процесі зіткнення описується екранованим кулонівським потенціалом з урахуванням перезарядки і кореляційних взаємодій між електронними оболонками, що перекриваються.
Опис
Бібліографічний опис
Методичні вказівки до виконання комплексної практичної роботи "Комп'ютерне моделювання процесів іонної імплантації, розпилення та іонно-променевого перемішування" з навчальних дисциплін "Радіаційна стійкість матеріалів", "Фізика взаємодії прискорених частинок з твердим тілом", "Плазмова та радіаційна поверхневавзаємодія матеріалів в екстремальних умовах" [Електронний ресурс] : для студентів ден. та заочн. форми навчання за спец. "Прикладна фізика та наноматеріали" / уклад.: Зубарєв Є. М., Малихін С. В., Сіпатов О. Ю., Конотопський Л. Є. ; Нац. техн. ун-т "Харків. політехн. ін-т". – Електрон. текст. дані. – Харків : НТУ "ХПІ", 2025. – 21 с.
