Вирощування кристала GAGG, легованого Се, і дослідження його оптичних властивостей

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЛадатко, М. М.
dc.contributor.authorГерасимов, Я. В.
dc.contributor.authorКудій, Дмитро Анатолійович
dc.date.accessioned2026-04-15T08:35:18Z
dc.date.issued2016
dc.identifier.citationЛадатко М. М., Герасимов Я. В., Кудій Д. А. Вирощування кристала GAGG, легованого Се, і дослідження його оптичних властивостей. X Міжнародна науково-практична студентська конференція магістрантів : матеріали конф., 05-08 квітня 2016 р. : у 3 ч. Ч. 2 / ред. Сокол Є. І. ; Нац. техн. ун-т "Харків. політехн. ін-т" та ін. Харків, 2016. С. 51.
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/101114
dc.language.isouk
dc.publisherНаціональний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"
dc.subjectмонокристалічні сцинтилятори
dc.subjectіонізуюче випромінювання
dc.subjectсцинтиляційні властивості
dc.subjectкристали
dc.subjectвирощування кристалів
dc.subjectдомішки
dc.subjectоптичні властивості
dc.titleВирощування кристала GAGG, легованого Се, і дослідження його оптичних властивостей
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Ladatko_Vyroshchuvannia_krystala_2016.pdf
Розмір:
331.69 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
11.15 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

X Міжнародна науково-практична студентська конференція магістрантів. 2016