Scandium-silicon multilayer X-ray mirrors with CrB2 barrier layers

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorPershyn, Yuriy P.en
dc.contributor.authorDevizenko, A. Yu.en
dc.contributor.authorZubarev, Evgeniy N.en
dc.contributor.authorKondratenko, Valeriy V.en
dc.contributor.authorVoronov, Dmitriy L.en
dc.contributor.authorGullikson, E. M.en
dc.date.accessioned2022-10-25T21:16:24Z
dc.date.available2022-10-25T21:16:24Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractMethods of X-ray reflectometry λ0.154 nm), cross-sectional transmission electron microscopy and re flectometry in the EUV region (λ = 41-51 nm) were used to investigate the barrier properties of CrB2 layers 0.3-1.3 nm thick in Sc/CrB2/Si multilayer X-ray mirrors (MXMs) deposited by DC magnetron sputtering. It is shown that barrier layers of ~ 0.3 nm separate Sc and Si layers completely and prevent interacting the Sc and Si layers. Thinner chromium diboride layers interact with the matrix layers forming interlayers containing mostly ScB2 on the Si-on-Sc interfaces and CrSi2 on the Sc-on-Si ones. Scandium-silicon MXMs with barrier layers on the both interfaces are shown to retain high reflectivity at the wavelength of λ ~ 47 nm.en
dc.description.abstractДля дослідження бар'єрних властивостей шарів CrB2 товщиною 0,3-1,3 нм у багатошарових рентгенівських дзеркалах (MXM), що осідають багатошаровими рентгенівськими дзеркалами (MXM), що осідають за допомогою магнетронного напилення постійним струмом, використовувалися методи рентгенівської рефлексії Sc/CrB2/Si товщиною 0,3-1,3 нм. Показано, що бар'єрні шари ~ 0,3 нм повністю розділяють шари Sc і Si і перешкоджають взаємодії шарів Sc і Si. Більш тонкі шари дибориду хрому взаємодіють з матричними шарами, утворюючи прошарки, що містять в основному ScB2 на інтерфейсах Si-on-Sc і CrSi2 на Sc-on-Si. Показано, що скандієво-кремнієві MXM з бар'єрними шарами на обох інтерфейсах зберігають високу відбивну здатність на довжині хвилі ~ 47 нм.uk
dc.identifier.citationScandium-silicon multilayer X-ray mirrors with CrB2 barrier layers / Yu. P. Pershyn [en al.] // Journal of Nano- and Electronic Physics = Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – V. 10, Iss. 5. – P. 05025-1–05025-8.en
dc.identifier.doidoi.org/10.21272/jnep.10(5).05025
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58682
dc.language.isoen
dc.publisherСумський державний університетuk
dc.subjectmultilayer X-ray mirroren
dc.subjectinterlayeren
dc.subjectbarrier layeren
dc.subjectreflectivityen
dc.subjectextreme ultravioleten
dc.subjectбагатошарове рентгенівське дзеркалоuk
dc.subjectперемішані зониuk
dc.subjectбар'єрні шариuk
dc.subjectвідбивна здатністьuk
dc.subjectекстремальний ультрафіолетuk
dc.titleScandium-silicon multilayer X-ray mirrors with CrB2 barrier layersen
dc.title.alternativeБагатошарові рентгенівські дзеркала Sc / Si з бар'єрними шарами CrB2uk
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
JNEP_2018_10_5_Pershyn_Scandium_silicon.pdf
Розмір:
489.55 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"