Моделирование термостимулированных процессов в радиационной технологии модификации материалов облучением

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОгурцов, Александр Николаевичru
dc.contributor.authorБлизнюк, Ольга Николаевнаru
dc.contributor.authorМасалитина, Наталья Юрьевнаru
dc.date.accessioned2015-04-20T08:43:18Z
dc.date.available2015-04-20T08:43:18Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractСтатья посвящена разработке метода определения кинетических параметров радиационных дефектов с помощью термоактивационных методик. Проведенный анализ кривых выхода термостимулированных процессов в твердом аргоне и полученные значения характеристических кинетических параметров электронных ловушек, которые хорошо согласуются с параметрами ловушек аналогичных образцов.ru
dc.description.abstractThe method of determination of kinetic parameters of radiation defects using the thermoactivated techniques is considered in this article. The yield curves analysis of thermostimulated processes in solid argon has been made and characteristic kinetic parameters of electron traps was obtained, which is in agreement with such parameters of similar samples.en
dc.identifier.citationОгурцов А. Н. Моделирование термостимулированных процессов в радиационной технологии модификации материалов облучением / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк, Н. Ю. Масалитина // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 27. – С. 54-61.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/14300
dc.language.isoru
dc.publisherНТУ "ХПИ"ru
dc.subjectпараметры кинетическиеru
dc.subjectдефекты радиационныеru
dc.subjectтермоактивацияru
dc.subjectаргонru
dc.subjectловушка электроннаяru
dc.subjectобработка материаловru
dc.subjectрешетка кристаллическаяru
dc.subjectкристаллы ван-дер-ваальсовыеru
dc.subjectкриокристаллыru
dc.subjectинертностьru
dc.subjectхимия аналитическаяru
dc.titleМоделирование термостимулированных процессов в радиационной технологии модификации материалов облучениемru
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
vestnik_HPI_2011_27_Ogurtsov_Modelirovanie.pdf
Розмір:
355.6 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.23 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Вісник № 27
Кафедра "Біотехнологія, біофізика та аналітична хімія"
Кафедра "Фізична хімія"