Изучение процессов кристаллизации карбида кремния путём совместного разложения тетрахлорида кремния и толуола в присутствии водорода

Глушко, П. И.; Журавлёв, А. Ю.; Капустин, В. Л.; Семёнов, Н. А.; Хованский, Н. А.; Широков, Б. М.; Шиян, А. В.

Изучение процессов кристаллизации карбида кремния путём совместного разложения тетрахлорида кремния и толуола в присутствии водорода

dc.contributor.author	Глушко, П. И.	ru
dc.contributor.author	Журавлёв, А. Ю.	ru
dc.contributor.author	Капустин, В. Л.	ru
dc.contributor.author	Семёнов, Н. А.	ru
dc.contributor.author	Хованский, Н. А.	ru
dc.contributor.author	Широков, Б. М.	ru
dc.contributor.author	Шиян, А. В.	ru
dc.date.accessioned	2015-04-23T07:50:43Z
dc.date.available	2015-04-23T07:50:43Z
dc.date.issued	2011
dc.description.abstract	Описан принцип получения карбида кремния на установке проточного типа. В зависимости от различного соотношения между активными компонентами газовой фазы SiCl4:C7H8, поступающими в реактор, исследована и изучена морфология SiC слоя. Показано влияние скорости парогазового потока и температуры подложки на скорость осаждения SiC.	ru
dc.description.abstract	Is described principle of obtaining silicon carbide on install a flow-through type. Depending on the different ratio between the active components of the gas phase SiCl4: C7H8, has been investigated and studied the morphology of the SiC layer. Shown the influence of velocity steam-gas flow and substrate temperature on deposition rate of SiC.	en
dc.identifier.citation	Изучение процессов кристаллизации карбида кремния путём совместного разложения тетрахлорида кремния и толуола в присутствии водорода / П. И. Глушко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 34. – С. 26-29.	ru
dc.identifier.uri	https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/14385
dc.language.iso	ru
dc.publisher	НТУ "ХПИ"	ru
dc.subject	получение карбида кремния	ru
dc.subject	установка проточного типа	ru
dc.subject	парогазовая смесь	ru
dc.subject	морфология слоя SiC	ru
dc.subject	процесс осаждения SiC	ru
dc.subject	применение карбида кремния	ru
dc.title	Изучение процессов кристаллизации карбида кремния путём совместного разложения тетрахлорида кремния и толуола в присутствии водорода	ru
dc.type	Article	en

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1

Назва:: vestnik_HPI_2011_34_Glushko_Izuchenie.pdf
Розмір:: 408.65 KB
Формат:: Adobe Portable Document Format

Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1

Назва:: license.txt
Розмір:: 11.23 KB
Формат:: Item-specific license agreed upon to submission
Опис:

Завантажити

Колекції

Вісник № 34