Вплив робочої температури на ефективність промислових зразків кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва

Abstract

Досліджено вплив робочої температури на ефективність кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва. Показано, що, не дивлячись на високу вихідну ефективність, при підвищенні робочої температури в досліджуваних фотоелектричних перетворювачах спостерігається істотне зниження вихідних параметрів у порівнянні з промисловими аналогами європейського виробництва. При зростанні робочої температури був встановлений нехарактерний спад щільності струму короткого замикання. Методом комп'ютерного моделювання було показано, що це обумовлено не лише традиційним зростанням щільності діодного струму насичення, а й зниженням шунтуючого опору.

The influence of operating temperature on efficiency of industrial samples of silicon photovoltaic devices made in China has been investigated. It was shown that despite the high initial efficiency, the tests of the photovoltaic devicescarried out at higher operating temperatures have revealed a significant reduction of output parameters compared with the industrial analogs made in Europe. With the operating temperature increasing, an uncharacteristic decline in short-circuit current density was registered. As it was shown the last is due not only to the inherent increase in the density of the diode saturation current, but also is the result of the reduction of shunt resistance.