Фотоелектричні характеристики елементів на основі сульфіду кадмію

dc.contributor.authorГринь, Григорій Івановичuk
dc.contributor.authorПанчева, Ганна Михайлівнаuk
dc.contributor.authorКозуб, П. А.uk
dc.contributor.authorОхремчук, Є. В.uk
dc.contributor.authorЛавренко, Антоніна Олександрівнаuk
dc.date.accessioned2013-09-02T10:20:47Z
dc.date.available2013-09-02T10:20:47Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractThe paper describers the study of semiconductor parameters for elements on the basis of cadmium sulfide which are characterized by the simplicity of production technology and the low production cost. When carrying out the experimental research of CdS-based films photoelectrical characteristics we created Ti/CdS heterocontacts and studied their properties on the basis of current-voltage characteristics. In the course of open circuit voltage (Uxx = 0,45…0,49 V) and short circuit current (ікз = 4,04…6,32 mA/dm2) measurement we determined photoelectric effect presence.en
dc.identifier.citationФотоелектричні характеристики елементів на основі сульфіду кадмію / Г. І. Гринь, Г. М. Панчева, П. А. Козуб та ін. // Інтегровані технології та енергозбереження. - 2010. - № 1. - С. 65-70.uk
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/1944
dc.language.isouk
dc.publisherНТУ "ХПІ"uk
dc.subjectсонячна енергіяuk
dc.subjectальтернативне джерело енергіїuk
dc.subjectфотоелектрична установкаuk
dc.subjectфотоенергетикаuk
dc.subjectфотоелементиuk
dc.subjectсульфід кадміюuk
dc.subjectнапівпроводникиuk
dc.subjectоптична спектроскопіяuk
dc.titleФотоелектричні характеристики елементів на основі сульфіду кадміюuk
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
ITE_2010_1_Gryn_Fotoelektrychni.pdf
Розмір:
806.7 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
6.73 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: