Physical and technological foundations of the "Chloride" treatment of cadmium telluride layers for thin-film photoelectric converters
Вантажиться...
Дата
2018
ORCID
DOI
10.21272/jnep.10(3).03007
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Сумський державний університет
Анотація
The process of deposition of cadmium chloride films during the "chloride" treatment of cadmium telluride base layers for thin-film photoelectric converters (PEC) was studied. It is established that to ensure the reproducibility of the thickness and phase composition of cadmium chloride films, it is necessary to take into account the high hygroscopicity of this material. It is shown that the optimal growth rate of cadmium chloride films is 0.1 μm perminute. At high growth rates, cadmium chloride particulates are deposited on the surface of the CdTe layer base, which causes shunting of the PEC during the "chloride" treat-ment. It is determined that after the "chloride" treatment of CdTe layers, a coarse-grained structure is observed, which is predominantly oriented in the thermodynamic equilibrium direction. In this case, the average grain size increases to 5 μm. It is shown that when performing a "chloride" treatment, the optimum purity of cadmium chloride layers is 98 %, which is due to the doping of CdTe with copper atoms. The disadvantage of copper with the use of more pure cadmium chloride reduces the efficiency of the PEC due to the increase in the series resistivity and the decrease in the photocurrent density. It has been experimentally determined that the optimum thickness of cadmium chloride during the "chloride" treatment and the efficiency of the PEC obtained at the same time depends on the substrate used. Thus, for the ITO/CdS/CdTe/Cu/Au PEC, the optimum thickness of cadmium chloride is 0.40 μm, the efficiency is 9.6 %, and for the NaCl/ITO/CdS/CdTe/Cu/Au PEC – 0.10 μm and 6.4 %, respectively.
Досліджено процес осадження плівок хлориду кадмію при проведенні "хлоридної" обробки базових шарів телуриду кадмію для тонкоплівкових фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Встановлено, що для забезпечення відтворюваності товщини і фазового складу плівок хлориду кадмію необхідно враховувати високу гігроскопічність цього матеріалу. Показано, що оптимальна швидкість росту плівок хлориду кадмію становить 0,1 мкм в хвилину. При великих швидкостях зростання на поверхні базового шару CdTe осідають макрочастки хлориду кадмію, що викликає шунтування ФЕП в процесі "хлоридної" обробки. Визначено, що після "хлоридної" обробки шарів CdTe спостерігається формування крупнозернистої структури, яка переважно орієнтована в термодинамічно рівноважному напрямку. При цьому, середній розмір зерна зростає до 5 мкм. Показано, що при проведенні "хлоридної" обробки оптимальна чистота шарів хлориду кадмію становить 98 %, що обумовлено легуванням CdTe атомами міді. Недолік міді при використанні більш чистого хлориду кадмію знижує ефективність ФЕП за рахунок зростання послідовного електроопору і зниження щільності фотоструму. Експериментально визначено, що оптимальна товщина хлориду кадмію при проведенні "хлоридної" обробки і досягнута при цьому ефективність ФЕП залежить від застосовуваної підкладки. Так для ФЕП ITO/CdS/CdTe/Cu/Au оптимальна товщина хлориду кадмію становить 0,40 мкм, ефективність – 9,6 %, а для ФЕП NaCl/ITO/CdS/CdTe/Cu/Au – 0,10 мкм і 6,4 %, відповідно.
Досліджено процес осадження плівок хлориду кадмію при проведенні "хлоридної" обробки базових шарів телуриду кадмію для тонкоплівкових фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Встановлено, що для забезпечення відтворюваності товщини і фазового складу плівок хлориду кадмію необхідно враховувати високу гігроскопічність цього матеріалу. Показано, що оптимальна швидкість росту плівок хлориду кадмію становить 0,1 мкм в хвилину. При великих швидкостях зростання на поверхні базового шару CdTe осідають макрочастки хлориду кадмію, що викликає шунтування ФЕП в процесі "хлоридної" обробки. Визначено, що після "хлоридної" обробки шарів CdTe спостерігається формування крупнозернистої структури, яка переважно орієнтована в термодинамічно рівноважному напрямку. При цьому, середній розмір зерна зростає до 5 мкм. Показано, що при проведенні "хлоридної" обробки оптимальна чистота шарів хлориду кадмію становить 98 %, що обумовлено легуванням CdTe атомами міді. Недолік міді при використанні більш чистого хлориду кадмію знижує ефективність ФЕП за рахунок зростання послідовного електроопору і зниження щільності фотоструму. Експериментально визначено, що оптимальна товщина хлориду кадмію при проведенні "хлоридної" обробки і досягнута при цьому ефективність ФЕП залежить від застосовуваної підкладки. Так для ФЕП ITO/CdS/CdTe/Cu/Au оптимальна товщина хлориду кадмію становить 0,40 мкм, ефективність – 9,6 %, а для ФЕП NaCl/ITO/CdS/CdTe/Cu/Au – 0,10 мкм і 6,4 %, відповідно.
Опис
Ключові слова
photoelectric converter, cadmium telluride films, cadmium chloride, X-ray diffractometry, light current-voltage characteristics, output parameters, light diode characteristics, фотоелектричний перетворювач, плівки телуриду кадмію, хлорид кадмію, рентгенівська дифрактометрія, світлова вольт-амперна характеристика, вихідні параметри, світлові діодні характеристики
Бібліографічний опис
Physical and technological foundations of the "Chloride" treatment of cadmium telluride layers for thin-film photoelectric converters / D. A. Kudii [et al.] // Журнал нано- и электронной физики = Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2018. – Т. 10, № 3. – С. 03007-1–03007-7.