Кафедра "Комп'ютерна інженерія та програмування"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/1095

Офіційний сайт кафедри https://web.kpi.kharkov.ua/cep

Від 26 листопада 2021 року кафедра має назву – "Комп’ютерна інженерія та програмування"; попередні назви – “Обчислювальна техніка та програмування”, “Електронні обчислювальні машини”, первісна назва – кафедра “Математичні та лічильно-вирішальні прилади та пристрої”.

Кафедра “Математичні та лічильно-вирішальні прилади та пристрої” заснована 1 вересня 1961 року. Організатором та її першим завідувачем був професор Віктор Георгійович Васильєв.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерних наук та інформаційних технологій Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". Перший випуск – 24 інженери, підготовлених кафедрою, відбувся в 1964 році. З тих пір кафедрою підготовлено понад 4 тисячі фахівців, зокрема близько 500 для 50 країн світу.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 11 докторів технічних наук, 21 кандидат технічних наук, 1 – економічних, 1 – фізико-математичних, 1 – педагогічних, 1 доктор філософії; 9 співробітників мають звання професора, 14 – доцента, 2 – старшого наукового співробітника.

Переглянути

Фільтри

20181

Налаштування

Автор: search.filters.author.Hui, Qiu JingDOI: search.filters.doi.10.20998/2522-9052.2018.1.18

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
  • Ескіз
    Документ
    Extraneous electromagnetic radiation impact on waveguide characteristics of a semiconductor superlattice
    (НТУ "ХПІ", 2018) Kravchenko, Volodymyr; Breslavets, Vitaliy; Yakovenko, Igor; Hui, Qiu Jing
    The subject matter is the mechanisms of emergence of instabilities in natural oscillations of semiconductor supertattices caused by their interaction with charged particle flows of extraneous electromagnetic radiation. The aimis calculating ratios to determine a degree of deviation of operating characteristics of semiconductor components from the norm, depending on the parameters of extraneous pulsed electromagnetic radiation. The objectiveis to model how currents that are induced with extraneous EMR interact with electrostatic oscillations of a semiconductor supertattice, using an implementation of (Cherenkov) resonance interaction of moving charges with electromagnetic oscillations under conditions where the phase velocity of the wave and the velocity of the charged particle are the same. The methods used: analytical methods for solving Maxwell's equations and medium equations in a framework of hydrodynamic approach. The following results are obtained. We have studied semiconductor components of electronic equipment (supertattices) being exposed to strong pulsed electromagnetic fields. The study was focused on the nature of changes in the working capacity of the components. We show that the effect of pulsed electromagnetic radiation is accompanied by an emergence of currents in the conductive hardware elements and an emergence of internal fields within them. One kind of reversible failures of semiconductor hardware elements is determined, based on interaction of extraneous radiation induced currents with the intrinsic fields of the supertattices of the hardware components. Similar failures occur under conditions of Cerenkov radiation (when the current is parallel to the structure boundary). It is shown that such interaction leads to energy losses in the induced currents spent to excitation of natural oscillations of the supertattice, i.e. to emergence of an oscillation generation mode that is characterized with a change in the volt-ampere characteristics of the hardware. The results obtained in this work can be used to evaluate the efficiency of active radio electronic devices (amplifiers, generators and converters of electromagnetic oscillations in the millimeter and sub-millimeter ranges) being exposed to extraneous pulsed electromagnetic fields. The comparative analysis of quantitative evaluations of reversible failures of semiconductor devices in dependence on the spatial configuration of the acting field (induced current parallel to the structure boundary) allows solving problems in optimizing the degree of distortion of the performance characteristics of these devices.