Кафедра "Системний аналіз та інформаційно-аналітичні технології"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7644

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/say

Кафедра "Системний аналіз та інформаційно-аналітичні технології" заснована в 1982 році.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерних наук та інформаційних технологій Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". Випускники кафедри працюють у провідних ІТ-компаніях: EPAM, CloudWorks, DataArt, MedeAnalytics, NIX Solutions, CodeIT, Ciklum та багатьох інших в Україні та за кордоном.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 4 доктора технічних наук; 9 кандидатів наук: 8 – технічних , 1 – економічних; 4 співробітника мають звання професора, 9 – доцента.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 7 з 7

Температурно-аномальная диффузия в наклонных пространственно-периодических потенциалах
(Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина, 2017) Марченко, Иван Григорьевич; Марченко, Игорь Иванович; Ткаченко, Виктор Иванович
В работе исследована диффузия частиц под действием внешних сил в пространственно-периодических потенциалах, характеризующихся малыми значениями коэффициента трения. Показано, что во всех недодемпфированных системах существует ограниченная область температурно-аномальной диффузии (ТАД). В этой области коэффициент диффузии возрастает с понижением температуры. Определены ширина и положение области ТАД в зависимости от значений коэффициента трения и параметров системы. Найдены аналитические выражения для коэффициентов диффузии в пределе низких температур. Полученные зависимости имеют важное значение для экспериментального обнаружения явления температурно-аномальной диффузии и дальнейшего его использования.
Температурно-аномальная диффузия в недодемпфированных периодических системах
(НТУ "ХПИ", 2016) Марченко, Игорь Иванович; Жигло, Андрей Валентинович; Марченко, Иван Григорьевич
В работе исследовано усиление диффузии частиц в пространственно-периодических структурах под воздействием периодических во времени полей. Показано, что диффузия может быть произвольным образом усилена (на многие порядки) при выборе соответствующих температур, амплитуд и частот внешнего поля. Установлено, что при амплитудах превышающих критический уровень, в температурной зависимости возникает область температурно–аномальной диффузии (ТАД) при которой коэффициент диффузии возрастает с понижением температуры.
Компьютерное моделирование формирования поверхности тонких плёнок кинетическим методом Монте-Карло
(НТУ "ХПИ", 2010) Куц, С. С.; Куценко, Александр Сергеевич; Марченко, Игорь Иванович
В работе разработана модель осаждения тонких плёнок, основанная на методе кинетического Монте-Карло. Предложенный алгоритм учитывает процессы диффузии по адатомным узлам кристаллической решетки, а также эффект затенения осаждаемых атомов неровностями рельефа поверхности. Проведенные расчеты показывают хорошее согласие с имеющимися экспериментальными результатами.
Вычислительный метод идентификации поверхностных атомов для обработки данных молекулярной динамики
(НТУ "ХПИ", 2014) Марченко, Игорь Иванович
Предлагается метод обработки данных, полученных в результате моделирования процессов формирования тонких пленок методом молекулярной динамики, для нахождения поверхностных атомов материла. Данный метод был протестирован для ряда типичных примеров и показал корректные результаты. Результаты работы предложенного метода могут быть использованы для нахождения плотности, шероховатости, микронапряжений и пр.
Математическое моделирование изменения толщины оксидного пленки при низкоэнергетическом ионном азотировании
(НТУ "ХПИ", 2012) Куценко, Александр Сергеевич; Марченко, Игорь Иванович
Сформулирована математическая модель изменения толщины оксидного слоя при ионном азотировании металлов и сплавов в остаточной атмосфере вакуумной камеры. Получены расчеты характерных времен стравливания оксидных пленок при ионном азотировании.
Компьютерная модель процесса низкотемпературного осаждения металлических пленок из атомно-ионных потоков
(НТУ "ХПИ", 2013) Куценко, Александр Сергеевич; Марченко, Игорь Иванович
The simulation algorithm of the formation of metallic thin films at low temperatures was proposed. Using this algorithm test simulations of copper thin film deposition of were made. The obtained simulation results are in agreement with the available experimental data.
Математическое моделирование процессов структурообразования тонких пленок при низких температурах
(НТУ "ХПИ", 2013) Куценко, Александр Сергеевич; Марченко, Игорь Иванович
The mathematical model of the molecular dynamics method, which takes into account the effects of quantum statistics was formulated. Numerical scheme for the solution of the model was proposed. Test calculations and comparison with experimental data were obtained. The averaged is placements of copper surface atoms at different temperatures were computed.