Вісник № 11
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/19100
Переглянути
Документ Кінетичний аналіз накопичення дефектів в радіаційній технології модифікації структури кристалів опроміненням(НТУ "ХПІ", 2010) Огурцов, Олександр Миколайович; Близнюк, Ольга Миколаївна; Масалітіна, Наталія ЮріївнаЗапропонована кінетична модель процесу формування точкового дефекту внаслідок релаксації електронних збуджень в конденсованих системах. Проведений аналіз дозових кривих інтенсивності смуг люмінесценції в кристалах інертних елементів. Одержані значення характеристичних кінетичних констант добре узгоджуються з відомою ієрархією процесів релаксації електронних збуджень.