Кінетичний аналіз накопичення дефектів в радіаційній технології модифікації структури кристалів опроміненням
Вантажиться...
Дата
2010
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПІ"
Анотація
Запропонована кінетична модель процесу формування точкового дефекту внаслідок релаксації електронних збуджень в конденсованих системах. Проведений аналіз дозових кривих інтенсивності смуг люмінесценції в кристалах інертних елементів. Одержані значення характеристичних кінетичних констант добре узгоджуються з відомою ієрархією процесів релаксації електронних збуджень.
Kinetic model for the process of point defect formation induced by electronic excitation relaxation in condensed systems is proposed. The analysis of dose curves of intensity of noble crystal luminescence bands was made. The determined characteristic kinetic constants are found to be in good agreement with known hierarchy of electronic excitation relaxation processes.
Kinetic model for the process of point defect formation induced by electronic excitation relaxation in condensed systems is proposed. The analysis of dose curves of intensity of noble crystal luminescence bands was made. The determined characteristic kinetic constants are found to be in good agreement with known hierarchy of electronic excitation relaxation processes.
Опис
Ключові слова
конденсовані системи, точковий дефект, кінетична модель, електронні збудження, процеси релаксації
Бібліографічний опис
Огурцов О. М. Кінетичний аналіз накопичення дефектів в радіаційній технології модифікації структури кристалів опроміненням / О. М. Огурцов, О. М. Близнюк, Н. Ю. Масалітіна // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Темат. вип. : Хімія, хімічна технологія та екологія. – Харків : НТУ "ХПІ", 2010. – № 11. – С. 95-99.