Кафедра "Фізика"

Постійне посилання зібрання

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Нові надходження

Зараз показуємо 1 - 20 з 403
  • Документ
    Methodology of project-based learning for training junior students in applied mathematics: general scheme of the educational process
    (IOP Publishing Ltd, 2023) Akhiiezer, O. B.; Haluza, O. A.; Savchenko, A. O.; Lyubchyk, Leonid Mykhailovych; Protsay, N. T.; Aslandukov, M. O.
    An original methodology of the project-based learning for junior students of the specialty applied mathematics is proposed in the paper. A complete step-by-step diagram (as a BPMN diagram) of the process of the project-based learning as a business process with a description of the specifi actions of all its participants is given. The paper specifid and clearly describes all the main aspects of the work on the project, starting from the criteria that the project problem must satisfy, and ending with the form of project defense. The roles of both students within the project team and all teachers are described in detail. Special attention is paid to all documents accompanying the work on the project, which should be submitted by the project team. The results of the article may be useful to those teams of teachers who are just starting to work on the implementation of project-based learning into the educational process for the specialty of applied mathematics or related ones.
  • Документ
    Взаємозв'язок між рівнем корумпованості країни та обсягами прямих іноземних інвестицій
    (2022) Андреєв, Олександр Миколайович; Андреєва, Ольга Миколаївна
  • Документ
    Корупційні трансакційні витрати та ефективність антикорупційної політики
    (2022) Андреєв, Олександр Миколайович; Андреєва, Ольга Миколаївна
  • Документ
    Електромагнетизм
    (Середняк Т. К., 2023) Гапоченко, Світлана Дмитрівна
    Навчальний посібник складається з лекцій, прикладів розв'язку типових задач та матеріалів для самостійної роботи: питань для самоперевірки і задач за першою частиною розділу "Електромагнетизм" і містить наступні теми: електрика, постійний електричний струм. Посібник відповідає програмі курсу фізики, яка затверджена Міністерством освіти і науки України, і може використовуватись в технологіях модульного навчання а також для самостійної роботи студентів.
  • Документ
    Методичні вказівки до лабораторної роботи "Визначення показника заломлення товстої скляної пластинки інтерференційним методом" з курсу "Лазерна техніка та технології"
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2023) Андреєв, Олександр Миколайович; Андреєва, Ольга Миколаївна
    Лазерні технології – це фундаментальні елементи сучасної оптичної індустрії, котрі широко застосовуються в різних галузях від медицини до матеріалознавства та є зручним інструментом для розробки точних методів вимірювань. Більшість оптичних технологій засновані на явищі інтерференції світла, яке має як прикладний так і фундаментальний характер. Вивчення явища просторового перерозподілу світлового потоку дозволяє студентам, не тільки осмислити прояв хвильової природи світла, а й на практиці, виконати точні оптичні вимірювання властивостей об'єктів. Варто зазначити, що прецизійні оптичні вимірювання, які широко застосовують в неруйнівному контролі є потужним інструментом в галузі метрології, котрий дозволяє проводити вимірювання з високою точністю, тому поглиблене вивчення інтерференційних явищ є досить актуальною задачею в навчальному процесі для майбутніх спеціалістів. В наведених методичних вказівках розглянуто теоретичний матеріал в якому докладно описано явище інтерференції світлових хвиль в різних оптичних схемах. Наведені в роботі поглиблені роз'яснення усіх отриманих співвідношень дають змогу студентам самостійно засвоїти цей матеріал. Одним з основних елементів запропонованої авторами експериментальної установки є напівпровідниковий лазер, який дає монохроматичне світло з високою когерентністю та сприяє формуванню чіткої інтерференційної картини. Обробка інтерференційної картина за допомогою спеціально створеної комп'ютерної програми дозволяє отримати точні значення параметрів інтерференційних смуг. В роботі для визначення показника заломлення товстої плоскопаралельної скляної пластинки використано графічний метод, який є достатньо наочним.
  • Документ
    Методичні вказівки до лабораторної роботи "Дослідження інерційних характеристик фотопровідності напівпровідників" з курсу "Фізика"
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2023) Андреєв, Олександр Миколайович; Андреєва, Ольга Миколаївна
    В сучасному світі, де напівпровідникові матеріали відіграють ключову роль у виробництві електроніки та оптоелектроніки, розуміння процесів перенесення заряду стає визначальним для подальшого вдосконалення та розробки нових технологій. Важливим аспектом роботи з напівпровідниковими матеріалами є розуміння процесів рекомбінації носіїв заряду. Зокрема, час життя нерівноважних носіїв заряду, які виникають під дією світла, визначає чутливість та інерційні властивості напівпровідникових фотоприймачів, таких як фоторезистори. Останні знаходять широке застосування в різних пристроях фотоперетворювачів, особливо там, де потрібен широкий діапазон спектральної чутливості та/або значна потужність світлового випромінення. З точки зору фундаментальної науки експериментальне вивчення фотопровідності дозволить студентам інженерних спеціальностей зрозуміти основи зонної теорії та фізичних процесів, які виникають під час взаємодії електромагнітного випромінювання з напівпровідником. На відміну від традиційної лабораторної установки, яка містить осцилограф та пристрій (генератор або модулятор) для створення змінного світлового потоку в роботі пропонується використовувати розроблену авторами сучасну лабораторну установку на базі мікроконтролера, яка поєднується з комп'юте- ром. Це дозволяє не тільки проводити вимірювання в автоматичному та "ручному" режимах, але і досить зручно опрацьовувати результати експерименту за допомогою спеціально розробленого програмного забезпечення. Напочатку представлених методичних вказівок докладно розглянуто основи теорії фотопровідності напівпровідників, що дозволить студентам самостійно опонувати або повторити теорію фізичних процесів, які лежать в основі лабораторної роботи.
  • Документ
    Фізика. Лабораторний практикум
    (Середняк Т. К., 2023) Шелест, Тетяна Миколаївна; Андреєв, Олександр Миколайович; Храмова, Тетяна Іванівна; Гапоченко, Світлана Дмитрівна; Андреєва, Ольга Миколаївна; Багмут, Олександр Григорович; Веретеннікова, Юлія Ігорівна; Савченко, Алла Олександрівна; Кривоніс, Світлана Станіславівна; Меньшов, Юрій Валентинович; Галущак, Ірина Володимирівна; Тавріна, Тетяна Володимирівна; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Водоріз, Ольга Станіславівна; Дроздова, Ганна Анатоліївна; Перетятько, Анастасій Олександрович; Мартинова, Катерина Вікторівна; Алмазова, Олена Борисівна; Меньшикова, Світлана Іванівна
    Навчальний посібник містить опис лабораторних робіт, що відповідають усім розділам курсу фізики. Кожна робота складається із загальних теоретичних відомостей, обгрунтування методики експерименту, опису установки, порядку виконання роботи та контрольних питань для самоперевірки. Навчальний посібник має на меті забезпечення проведення лабораторних робіт з фізики в одно-, двох- та трьохсеместрових курсах. Призначено для студентів усіх спеціальностей.
  • Документ
    ITO/polyimide/Al2O3 thin films structure for capacitive transducers
    (2020) Zaitseva, Liliia V.; Vodoriz, Olga S.; Zaitsev, Roman V.
    It has been developed and approbated prototypes of thin-film capacitor transducers based on Al/ITO/polyimide/Al2O3 heterosystem for capacitive acoustic control in metal objects in the modes of simultaneous acoustic signal reception and generation by capacitive transducers and in certain modes of acoustic signal generating or receiving that can realize objects monitoring with sensitivity at the level of piezoelectric transducers. The developed prototype of thin film capacitive transducer for monitoring pipelines by longwave capacitive method allows increasing the maximum distance between the capacitive transducers up to 10 m. It has been engineered the thin film capacitive transducers which by using the polyamide film with 15 microns thickness of and alumina film with 1 micron thickness allow to increase the sensitivity of such method in 7-8 times. It is shown that using the magnetron sputtering technology, which provides high adhesion to polyimide substrate layers, made possible produce the capacitive transducers for objects with various shape. Proposed and patented: capacitor method for receiving acoustic signals in non-destructive control and transducer of ultrasonic acoustic wave’s excitation and receiving.
  • Документ
    Prospectives for Applying of Nanocoatings on Instrumental Tools
    (2020) Dubonosov, V. L.; Krichkovskaya, L. V.; Demyanenko, D. V.; Khrypunov, G. S.; Vodoriz, O. S.
    The paper is devoted to development of technology and equipment for obtaining of protective reinforcing and heat-shielding thin-film coatings with controlled structure and their usage in production of tools with improved operating characteristics in technological engineering. Recent times much of attention has been paid to creating of wear-resistant hardening coatings and development of multilayer nanosized coatings. By changing the application parameters of such coatings, one can control the composition, particle size, morphology as well as thickness and number of individual layers. Due to this, they can be easily adapted to obtain optimal physical and mechanical properties. The most effective method for coating of cutting tools is ion-plasma vacuum-arc coating deposition (Arc-PVD) which is characterized by high deposition rate and high ionization degree of the vaporized material providing increased adhesion strength of a coating, and this is the main objective of the article.
  • Документ
    Technology Bases of Combined Photovoltaic Systems
    (2023) Zaitsev, Roman; Kirichenko, Mykhailo; Minakova, Kseniia; Khrypunov, Gennadiy; Nikitin, Viktor
    This work is subject to copyright. All rights are solely and exclusively licensed by the Publisher, whether the whole or part of the material is concerned, specifically the rights of translation, reprinting, reuse of illustrations, recitation, broadcasting, reproduction on microfilms or in any other physical way, and transmission or information storage and retrieval, electronic adaptation, computer software, or by similar or dissimilar methodology now known or hereafter developed. The use of general descriptive names, registered names, trademarks, service marks, etc. in this publication does not imply, even in the absence of a specific statement, that such names are exempt from the relevant protective laws and regulations and therefore free for general use. The publisher, the authors and the editors are safe to assume that the advice and information in this book are believed to be true and accurate at the date of publication. Neither the publisher nor the authors or the editors give a warranty, expressed or implied, with respect to the material contained herein or for any errors or omissions that may have been made.
  • Документ
    Методичні вказівки до лабораторної роботи "Вивчення хвильових властивостей електронів в процесах розсіяння на атомах інертних газів"
    (2023) Андреєв, Олександр Миколайович; Андреєва, Ольга Миколаївна
    У навееденій лабораторній роботі вивчаються хвильові властивості електронів під час їх взаємодії з атомами ксенону, для цього експериментально вимірюється вольт-амперна характеристика несамостійного газового розряду. Визначаються енергії електронів, яким відповідають максимум і мінімум розсіяння, а також розраховується глибина та ширина прямокутної потенціальної ями, яка "моделює" атом ксенону.
  • Документ
    Crystal growth in amorphous films of tantalum pentoxide
    (2023) Bagmut, A. G.
    Amorphous films are formed on substrates at room temperature in the process of pulsed laser sputtering of Ta target in an oxygen atmosphere. Electron beam irradiation causes their crystallization with the formation of Ta2O5 crystals with hexagonal lattice. Electron microscope investigation, including “in situ” and video recording methods, revealed the following crystallization modes in different regions of the same amorphous film of Ta2O5. 1. Island polymorphous crystallization. 2. Interjacent crystallization mode. 3. Layer polymorphous crystallization mode. The presence of three different crystallization modes is explained by the phenomenon of polyamorphism in amorphous films.
  • Документ
    In situ TEM study of crystals growth in amorphous Ti-Zr-Ni films at electron beam irradiation
    (2023) Bagmut, A. G.; Bagmut, I. A.; Devizenko, A. Yu.
    Using the methods of in situ transmission electron microscopy (TEM) with video recording of the phase transformations the structure and kinetics of crystal growth in amorphous films of Ti41Zr41Ni18 were studied. The films were obtained by magnetron sputtering of a Ti-Zr-Ni target with deposition on substrates at T=30 °C. The amorphous (X-ray amorphous) state of the film was retained up to a temperature of 650 °C, above which a polymorphous transformation took place with the formation of crystals with the fcc structure. Video frame analysis shows that the nucleation and growth of flat crystals with fcc structure take place at electron beam irradiation. The speed of movement of the crystallization front did not depend on the time at a constant intensity of the electron beam. A linear dependence on time for the radius of the crystal and a quadratic one for the fraction of the crystalline phase are performed. The dimensionless parameter of the relative length of crystallization was about three thousand.
  • Документ
    Фізичні основи напівпровідникових приладів
    (2023) Ніколайчук, Григорій Павлович
    У навчальному посібнику розглянуті фізичні властивості напівпровідників та фізичні принципи роботи основних напівпровідникових приладів сучасної інформаційної мікроелектроніки. Посібник призначено для студентів технічних спеціальностей.
  • Документ
    Фізика напівпровідникових приладів
    (2023) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Мінакова, Ксенія Олександрівна
    Оскільки з фізики напівпровідників є велика кількість літератури, у розділі з відповідними посиланнями конспективно викладено ті відомості, які будуть використані під час аналізу властивостей напівпровідникових приладів, і навіть дані необхідні визначення. Основна увага приділена напівпровідниковим матеріалам, які широко застосовуються для виготовлення електронних приладів - моноатомним напівпровідникам кремнію (Si) та германію (Ge), а також напівпровідниковим сполукам А3В5, з яких найбільше освоєно арсенід галію (GaAs). Математичні формули максимально спрощені з урахуванням специфіки цих матеріалів, і навіть умов експлуатації виробів (обмежений температурний спектр). Далі в посібнику наведений матеріал буде використаний для необхідних посилань, щоб не перевантажувати викладками основний текст.
  • Документ
    Кадрове забезпечення хімічного відділення ХТІ
    (ФОП Корзун Д. Ю., 2021) Ткаченко, Світлана Сергіївна; Гапоченко, Світлана Дмитрівна
  • Документ
    Методологічні принципи фізики в епоху Ренесансу
    ("Роял Принт", 2016) Гапоченко, Світлана Дмитрівна; Ткаченко, Світлана Сергіївна; Храмова, Тетяна Іванівна
  • Документ
    Квантова електроніка
    (ФОП Середняк Т. К., 2023) Мінакова, Ксенія Олександрівна; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович
    Квантова електроніка і оптоелектроніка достатньо молоді науки. Квантова електроніка вивчає поглинання і випромінювання енергії атомів і молекул речовини при переходах з одного енергетичного рівня на інший.
  • Документ
    Effect of aging on thermoelectric properties of the Bi2Te3 polycrystals and thin films
    (Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2021) Rogacheva, E. I.; Doroshenko, A. N.; Novak, K. V.; Sipatov, A. Yu.; Khramova, T. I.; Saenko, S. A.
    The temperature dependences (77-300 K) of the thermoelectric (TE) properties (the Seebeck coefficient S, electrical conductivity σ, Hall coefficient RH, Hall charge mobility μH>, and TE power factor P) were studied for freshly prepared and for exposed to air at room temperature during 5 years p-Bi2Te3 (60.0 at.% Te) and n-Bi2Te3 (62.8 at.% Te) polycrystals and thin films grown from them by thermal evaporation in vacuum. It was found that after aging, in the p- and n-Bi2Te3 bulk crystals and in the n-type film obtained from the n-Bi2Te3 crystal, type of conductivity is reserved but the p-type film obtained from the p-Bi2Te3 crystal, change the type of conductivity from hole to electronic. The activation energies of possible defect states were determined using the RH(T) dependences. After aging, at the temperatures close to room temperature, the p values of n-Bi2Te3 and p-Bi2Te3 polycrystals decreases by ~ 20 %, but p values of the n-type film grown from n-Bi2Te3 crystal increases by 20-30 %. In the p-type film obtained from p-Bi2Te3 polycrystal, and having changed the type of conductivity after aging, the p values exceed the p values of a film obtained from n-Bi2Te3 polycrystal by ~ 35 % at 250 K and by 25 % at 300 K, remaining at these temperatures below the p values for n-Bi2Te3 polycrystal after aging by ~ 15 %.