Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута, легированного теллуром
    (Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2009) Орлова, Дарья Сергеевна; Рогачева, Елена Ивановна
    Установлено, что, используя метод термического испарения в вакууме кристаллов висмута, легированного теллуром, на подложки из слюды, можно не только реализовать донорное действие теллура в тонкопленочном состоянии, но и осуществить более глубокое легирование висмута, чем в объемном кристалле. Показано, что подвижность носителей заряда (электронов) в пленках уменьшается по сравнению с объемным кристаллом, что естественно связать как с ростом концентрации электронов, так и с увеличением вклада поверхностного рассеяния в тонкопленочном состоянии. На основе анализа магнитополевых зависимостей коэффициента Холла и магнетосопротивления установлено, что для пленок Bi, легированного Te, и для кристаллов Bi с содержанием 0,5 ат.% Te в интервале значений магнитной индукции 0,1-1,0 Тл магнитное поле можно считать слабым. Полученные результаты могут быть использованы при изготовлении низкоразмерных структур на основе висмута с контролируемой концентрацией электронов.
  • Ескіз
    Документ
    Влияние атмосферного кислорода на состав и кинетические свойства тонких плёнок висмута
    (Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2017) Добротворская, М. В.; Орлова, Дарья Сергеевна; Рогачева, Елена Ивановна
    Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и измерения электрических и гальваномагнитных свойств исследовано влияние атмосферного кислорода на состав и свойства плёнок висмута толщиной d = 10-200 нм. Свойства двух серий свежеприготовленных плёнок (с защитным покрытием EuS и без защитного покрытия) сравнивались с характеристиками этих плёнок после длительного (в течение 9 лет) пребывания на воздухе при комнатной температуре. Установлено, что в плёнках Bi без покрытия имеет место неравномерное по глубине окисление с образованием оксида висмута Bi₂O₃. При этом значения коэффициента Холла Rн и магнетосопротивления Δρ/ρ, а также их температурные зависимости практически не изменяются после пребывания в воздушной атмосфере, а электропроводность σ снижается и тем значительнее, чем тоньше плёнка. С другой стороны, после длительного пребывания на воздухе в плёнках, покрытых сульфидом европия, Bi присутствует только в металлическом состоянии, а σ, Rн и Δρ/ρ остаются практически неизменными. Из полученных результатов следует, что при наличии защитного покрытия даже очень длительное пребывание на воздухе при комнатной температуре не приводит к изменению химического состава и кинетических свойств плёнок висмута.