Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

2016 - 201952020 - 20211

Налаштування

Автор: search.filters.author.Menshikova, S. I.ORCID: search.filters.orcid.https://orcid.org/0000-0001-7584-656X

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 6 з 6
  • Ескіз
    Документ
    Effect of deviation from stoichiometry on transport and mechanical properties of Bi2Se3 polycrystals
    (AIP Publishing, 2021) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.
    The dependences of electrical conductivity, the Hall coefficient, the Seebeck coefficient, thermoelectric power factor and microhardness of Bi2Se3 polycrystals on the degree of deviation from stoichiometry 59.9–60.0 at. % Se and temperature (77–300 K) were obtained. The samples exhibited n-type conductivity in the studied ranges of compositions and temperatures. The boundaries of the Bi2Se3 homogeneity region were estimated. A non-monotonic behavior of the concentration dependences of the properties in the studied composition range, associated with a change in the phase composition and defect structure under the deviation from stoichiometry, was observed. The calculation of the power coefficient in the temperature dependence of electron mobility showed that in a stoichiometric Bi2Se3, electrons are predominantly scattered by acoustic phonons, and under the deviation from stoichiometry the contribution of impurity scattering increases. Based on the experimental data, the Fermi energy EF was calculated in the approximation of the relaxation time and within the framework of the single-band model with a quadratic dispersion law. The obtained values of EF showed that both in stoichiometric and non- stoichiometric Bi2Se3, the conduction is mainly due to electrons in the lower conduction subband.
  • Ескіз
    Документ
    Electrical conductivity and Hall mobility of Bi2Se3 thin films with different thicknesses
    (Publishing House "UKRPOL" Ltd, 2018) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.
  • Ескіз
    Документ
    Quantum oscillations in thickness dependences of transport properties of topological insulator Bi2Se3 thin films
    (Publishing House SME "Burlaka", 2017) Rogacheva, E. I.; Sipatov, A. Yu.; Menshikova, S. I.
  • Ескіз
    Документ
    Size effects in thin PbTe films
    (Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2017) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.
  • Ескіз
    Публікація
    Size Effects in Transport Properties of PbSe Thin Films
    (IOP Publishing Ltd, 2016) Rogacheva, E. I.; Nashchekina, O. N.; Menshikova, S. I.
  • Ескіз
    Публікація
    Thickness-dependent quantum oscillations of the transport properties in bismuth selenide thin films
    (Elsevier, 2019) Rogacheva, E. I.; Menshikova, S. I.; Sipatov, A. Yu.; Nashchekina, O. N.
    The objects of the present study were thin n-Bi2Se3 films with thicknesses d = 10–100 nm, grown by thermal evaporation of n-Bi2Se3 crystals in vacuum onto heated glass substrates. The room temperature d-dependences of the Seebeck coefficient, the Hall coefficient, and the electrical conductivity of the films exhibited an oscillatory behavior, which we attribute to quantum size effects. Such interpretation of the results is supported by the fact that experimentally determined values of the oscillation period are in quite good agreement with the theoretically calculated ones. We suggest that the large amplitude and undamped character of the oscillations in the studied range of thicknesses are connected with the topologically protected gapless surface states of Bi2Se3. The observed oscillatory character of the d-dependences of the transport coefficients should be taken into account when 2D-structures are applied in nanothermoelectricity and other fields of nanoscience and nanotechnology.