Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

2012 - 20133

Налаштування

Автор: search.filters.author.Olkhovskaya, S. I.

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Публікація
    Quantum Size Effects and Transport Phenomena in PbSe Quantum Wells and PbSe/EuS Superlattices
    (AIP Publishing LLC, 2013) Rogacheva, E. I.; Nashchekina, O. N.; Olkhovskaya, S. I.; Sipatov, A. Yu.; Dresselhaus, M. S.
    It is established that the room-temperature dependences of transport properties on the total thickness of PbSe layers d in PbSe/EuS superlattices exhibit an oscillatory behavior. It is shown that the oscillation period Δd practically coincides with the period of the thickness oscillations observed earlier in single PbSe/EuS quantum well. The non-monotonic character of these dependences is attributed to quantum size effects. The theoretically estimated and experimentally determined Δd values are in good agreement.
  • Ескіз
    Публікація
    Size effects in thin PbSe films
    (Institute of Thermoelectricity, 2012) Rogacheva, E. I.; Nashchekina, O. N.; Olkhovskaya, S. I.; Dresselhaus, M. S.
    The objects of the study are thin PbSe films with thicknesses d in the range of d = 5.5 – 410 nm, grown by thermal evaporation in vacuum of stoichiometric p-PbSe crystals on KCl substrates and covered with a EuSe layer. The room-temperature d-dependences of the Seebeck coefficient, Hall coefficient, electrical conductivity, charge carrier mobility, thermoelectric power factor are obtained. When d increases to ~ 20 nm, an inversion of the conductivity sign from p to n is observed. In the d-dependences of the transport properties one can isolate a monotonic and oscillatory components, whose presence is attributed to the manifestation of classical and quantum size effects, respectively. The oscillation periods Δd for electronic and hole gases are determined. Theoretically calculated Δd, assuming a size quantization of the electronic and hole spectra, and our estimate of the monotonic component of the electrical conductivity, using the Fuchs-Sondheimer theory, are in good agreement with the experimental data.
  • Ескіз
    Документ
    Size effects in lead telluride thin films and thermoelectric properties
    (Institute of Thermoelectricity, 2013) Olkhovskaya, S. I.; Rogacheva, E. I.
    The influence of thickness d on thermoelectric properties (the Seebeck coefficient S, electric conductivity σ, the Hall coefficient RH, charge carrier mobility μН) of films d = 8 – 170 nm in thickness, prepared by vacuum evaporation of PbTe crystals with lead excess onto (001) KCl substrates coated with Al2O3 layer has been studied. It has been established that films with d < 75 nm possess hole conductivity, and at d > 75 nm carrier transport is determined by n-type charge carriers. The inversion of conductivity sign close to d ≈ 75 nm is attributed to a change in thermodynamic equilibrium conditions in the films as compared to crystal, as well as to material evaporation and condensation features. Oscillations on the d-dependences of the kinetic coefficients of films with p-type conductivity are attributable to quantization of the hole gas of carriers. Calculation of oscillation period Δd using a model of infinitely deep rectangular potential well is in good agreement with the experimentally determined Δd value. For n-type conductivity films the values of kinetic coefficients increase with increase in d, which points to manifestation of a classical size effect.