Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

2006 - 200912010 - 20192

Налаштування

Автор: search.filters.author.Rogacheva, E. I.Ключові слова: search.filters.subject.коефіцієнт Холла

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Публікація
    Thickness-dependent quantum oscillations of the transport properties in bismuth selenide thin films
    (Elsevier, 2019) Rogacheva, E. I.; Menshikova, S. I.; Sipatov, A. Yu.; Nashchekina, O. N.
    The objects of the present study were thin n-Bi2Se3 films with thicknesses d = 10–100 nm, grown by thermal evaporation of n-Bi2Se3 crystals in vacuum onto heated glass substrates. The room temperature d-dependences of the Seebeck coefficient, the Hall coefficient, and the electrical conductivity of the films exhibited an oscillatory behavior, which we attribute to quantum size effects. Such interpretation of the results is supported by the fact that experimentally determined values of the oscillation period are in quite good agreement with the theoretically calculated ones. We suggest that the large amplitude and undamped character of the oscillations in the studied range of thicknesses are connected with the topologically protected gapless surface states of Bi2Se3. The observed oscillatory character of the d-dependences of the transport coefficients should be taken into account when 2D-structures are applied in nanothermoelectricity and other fields of nanoscience and nanotechnology.
  • Ескіз
    Публікація
    Effect of Deviation from Stoichiometry on Thermoelectric Properties of Bi₂Te₃ Polycrystals and Thin Films in the Temperature Range 77-300 K
    (Сумський державний університет, 2019) Rogacheva, E. I.; Novak, K. V.; Doroshenko, A. N.; Nashchekina, O. N.; Budnik, A. V.
    Bi₂Te₃ semiconductor compound and Bi₂Te₃-based solid solutions are presently among the best lowtemperature thermoelectric materials. One of the methods of controlling the conductivity type and properties of Bi₂Te₃ is changing the stoichiometry of this compound. Earlier, we have obtained the room-temperature dependences of mechanical and thermoelectric properties of Bi₂Te₃ polycrystals on the degree of deviation from stoichiometry. The goal of this work is to investigate the behavior of such dependences at other temperatures. Bismuth telluride polycrystals with compositions in the range of 59.6-67.5 at. % Te were obtained, and for all the crystals the Seebeck coefficient, the Hall coefficient, electrical conductivity and charge carrier mobility were measured in the temperature range 77-300 K. On the basis of the temperature dependences, the isotherms of kinetic coefficients were plotted. It was found that similar to the room-temperature isotherms, the isotherms at lower temperatures were non-monotonic: they exhibited inversion of the conductivity sign between 60.5 and 61.0 at. % Te and extrema near 60.0 and 63.0 at. % Te. The experimental data are interpreted taking into account changes in the band and defect structures of Bi₂Te₃ under varying stoichiometry. The obtained results make it possible to control thermoelectric properties of Bi₂Te₃ polycrystals in the temperature range 77-300 K by changing the degree of deviation from stoichiometry.
  • Ескіз
    Документ
    Temperature dependences and isotherms of galoanomagnetic properties of Bi doped PbTe crystals and thin films
    (Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2006) Rogacheva, E. I.; Lyubchenko, S. G.; Vodorez, O. S.
    The temperature dependences of galvanomagnetic properties (the Hall coefficient, electrical conductivity, charge carrier mobility) of (PbTe)₁₀₀₋ₓBiₓ (x = 0-1) alloys obtained by doping PbTe with elementary Bi and thin films prepared from these alloys were studied in the temperature range 80-300 K. On the basis of the temperature dependences, the isotherms of the properties on the Bi concentration, which had been observed earlier at room temperature, is preserved at lower temperatures. This confirms our earlier suggestion about the self-organization processes taking place in the defect subsystem of the crystal at certain Bi concentrations.