Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

20161

Налаштування

Автор: search.filters.author.Sipatov, A. Yu.DOI: search.filters.doi.doi.org/10.1016/j.tsf.2016.05.046

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
  • Ескіз
    Публікація
    Growth and structure of thermally evaporated Bi2Te3 thin films
    (Elsevier, 2016) Rogacheva, E. I.; Budnik, A. V.; Dobrotvorskaya, M. V.; Fedorov, A. G.; Krivonogov, S. I.; Mateychenko, P. V.; Nashchekina, O. N.; Sipatov, A. Yu.
    The growth mechanism, microstructure, and crystal structure of the polycrystalline nBi2Te3 thin films with thicknesses d = 15 – 350 nm, prepared by thermal evaporation in vacuum onto glass substrates, were studied. Bismuth telluride with Te excess was used as the initial material for the thin film preparation. The thin film characterization was performed using X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy, scan electron microscopy, and electron force microscopy. It was established that the chemical composition of the prepared films corresponded rather well to the starting material composition and the films did not contain any phases apart from Bi2Te3. It was shown that the grain size and the film roughness increased with increasing film thickness. The preferential growth direction changed from [00l] to [015] under increasing d. The X-ray photoelectron spectroscopy studies showed that the thickness of the oxidized surface layer did not exceed 1.5 – 2.0 nm and practically did not change in the process of aging at room temperature, which is in agreement with the results reported earlier for single crystals. The obtained data show that using simple and inexpensive method of thermal evaporation in vacuum and appropriate technological parameters, one can grow n-Bi2Te3 thin films of a sufficiently high quality.