Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 5 з 5
  • Ескіз
    Документ
    Technology Bases of Combined Photovoltaic Systems
    (2023) Zaitsev, Roman; Kirichenko, Mykhailo; Minakova, Kseniia; Khrypunov, Gennadiy; Nikitin, Viktor
    This work is subject to copyright. All rights are solely and exclusively licensed by the Publisher, whether the whole or part of the material is concerned, specifically the rights of translation, reprinting, reuse of illustrations, recitation, broadcasting, reproduction on microfilms or in any other physical way, and transmission or information storage and retrieval, electronic adaptation, computer software, or by similar or dissimilar methodology now known or hereafter developed. The use of general descriptive names, registered names, trademarks, service marks, etc. in this publication does not imply, even in the absence of a specific statement, that such names are exempt from the relevant protective laws and regulations and therefore free for general use. The publisher, the authors and the editors are safe to assume that the advice and information in this book are believed to be true and accurate at the date of publication. Neither the publisher nor the authors or the editors give a warranty, expressed or implied, with respect to the material contained herein or for any errors or omissions that may have been made.
  • Ескіз
    Документ
    Фізика напівпровідникових приладів
    (2023) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Мінакова, Ксенія Олександрівна
    Оскільки з фізики напівпровідників є велика кількість літератури, у розділі з відповідними посиланнями конспективно викладено ті відомості, які будуть використані під час аналізу властивостей напівпровідникових приладів, і навіть дані необхідні визначення. Основна увага приділена напівпровідниковим матеріалам, які широко застосовуються для виготовлення електронних приладів - моноатомним напівпровідникам кремнію (Si) та германію (Ge), а також напівпровідниковим сполукам А3В5, з яких найбільше освоєно арсенід галію (GaAs). Математичні формули максимально спрощені з урахуванням специфіки цих матеріалів, і навіть умов експлуатації виробів (обмежений температурний спектр). Далі в посібнику наведений матеріал буде використаний для необхідних посилань, щоб не перевантажувати викладками основний текст.
  • Ескіз
    Документ
    Квантова електроніка
    (ФОП Середняк Т. К., 2023) Мінакова, Ксенія Олександрівна; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович
    Квантова електроніка і оптоелектроніка достатньо молоді науки. Квантова електроніка вивчає поглинання і випромінювання енергії атомів і молекул речовини при переходах з одного енергетичного рівня на інший.
  • Ескіз
    Документ
    Capacitive transducers based ITO/polyimide/Al2O3 thin film structure
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2020) Zaitseva, Liliia; Vodoriz, Olga; Zaitsev, Roman
    It has been developed and approbated prototypes of thin-film capacitor transducers based on Al/ITO/polyimide/Al2O3 heterosystem for capacitive acoustic control in metal objects in the modes of simultaneous acoustic signal reception and generation by capacitive transducers and in certain modes of acoustic signal generating or receiving that can realize objects monitoring with sensitivity at the level of piezoelectric transducers. The developed prototype of thin film capacitive transducer for monitoring pipelines by longwave capacitive method allows increasing the maximum distance between the capacitive transducers up to 10 meters. At a substrate temperature of 300 oC and a specific power of the magnetron of 0.31 W/cm2 on Upilex polyimide films were obtained layers of capacitive transducers with a thickness of 0.2-concentration of charge carriers was 8,3·1020 cm-3 and mobility - 44 cm2/(V·s). It has been engineered the thin film capacitive transducers which by using the polyamide film with 15 microns thickness of and alumina film with 1 micron thickness allow to increase the sensitivity of such method in 7-8 times, and the additional use of thin crystalline Al2O3 films deposited on a substrate of polyimide, allows to increase the value of the dielectric constant of the layer of the capacitive transduser from 3-4 relative units to 8.5-11.5 relative units. Experimental studies of the crystal structure of the developed transducers by X - ray diffractometry and research of their dielectric properties were carried out. The device was tested and the possibility of its use was shown along with the generally accepted methods of defectoscopy. It is shown that using the magnetron sputtering technology, which provides high adhesion to polyimide substrate layers, made possible produce the capacitive transducers for objects with various shape. Proposed and patented: capacitor method for receiving acoustic signals in non-destructive control and transducer of ultrasonic acoustic wave’s excitation and receiving.
  • Ескіз
    Документ
    Overview of the Ukrainian solar market: status and commercial perspectives
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Zaitsev, R. V.; Minakova, K.
    Today, solar energy is called the energy of the future, and many companies make significant investments in the construction of such power plants. The article provides an overview of the commercial perspectives of this market, determines the size of investments and the return on the project. Modern solar panels are able to operate without additional investments for decades and, from the point of view of the authors, in the long term the electricity generated in this way will not only cost-effective, and extremely profitable. The global situation in the energy market and in the field of renewable energy, in particular, is considered. The reasons that triggered the development of renewable energy sources, the key of which are the dangers of nuclear energy and environmental pollution, are explained. Along with this, we consider the structure of the market of renewable energy sources in Ukraine, where the geographic location is favorable for the implementation of solar energy projects. The climate of Ukraine is characterized by a large number of sunny days: in terms of insolation, Ukraine is significantly superior to European leaders in solar energy. This basic factor allows us to talk about the commercial perspectives of solar power generation projects implemented in Ukraine. Against the background of these perspectives is considered the structure of the energy market in Ukraine and the investment attraction of renewable energy projects. Market trends in the development of the solar energy market were discussed, which are expected to contribute to the development of new market niches, such as after-sales services, as well as the transformation of existing business models against the backdrop of the introduction of new facilities.