Кафедра "Природничі науки"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/1703

Увага! Поповнення колекції кафедри "Природничі науки" від травня 2023 року тимчасово призупинено.

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/ken

Кафедра "Природничі науки" заснована в 1973 році.

Кафедра забезпечувала викладання дисциплін природничого циклу іноземним громадянам, які готуються продовжувати навчання у вищих навчальних закладах України.

Студенти отримують необхідний рівень знань з природничих дисциплін і мають можливість вступати в будь-які вузи України для подальшого навчання.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту міжнародної освіти Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 12

Повышающий преобразователь для системы отбора мощности фотоэлектрической станции
(Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, 2016) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Ганус, В. А.; Зайцева, Лилия Васильевна; Холод, Андрей Владимирович; Прокопенко, Дмитрий Сергеевич
Дослідження зміни ефективності промислових зразків кремнієвих фотоелектричних перетворювачів із зростанням робочої температури
(Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2016) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Прокопенко, Дмитро Сергійович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Зайцева, Лілія Василівна
Вплив робочої температури на ефективність промислових зразків кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва
(Інститут відновлюваної енергетики НАН України, 2017) Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Зайцева, Лілія Василівна
Досліджено вплив робочої температури на ефективність кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва. Показано, що, не дивлячись на високу вихідну ефективність, при підвищенні робочої температури в досліджуваних фотоелектричних перетворювачах спостерігається істотне зниження вихідних параметрів у порівнянні з промисловими аналогами європейського виробництва. При зростанні робочої температури був встановлений нехарактерний спад щільності струму короткого замикання. Методом комп'ютерного моделювання було показано, що це обумовлено не лише традиційним зростанням щільності діодного струму насичення, а й зниженням шунтуючого опору.
Тонкоплівковий ємнісний перетворювач
(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2016) Зайцева, Лілія Василівна; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Горкунов, Борис Митрофанович
Тонкоплівковий ємнісний перетворювач на основі гетероструктури діелектрик/провідник містить діелектричний шар та провідний електрод. Діелектричний шар ємнісного перетворювача виконано на основі двошарової структури поліімід/Аl₂О₃, а провідний електрод виконано на основі двошарової прозорої структури ІТО/гребінчастий Аl.
Гнучкі сонячні елементи на основі базових шарів СdТe, отриманих методом магнетроного розпилення
(Сумський державний університет, 2017) Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Зайцев, Роман Валентинович; Доброжан, Андрій Ігорович; Харченко, Микола Михайлович
Досліджено кристалічну структуру та оптичні властивості полікристалічних шарів CdTe, отриманих методом нереактивного магнетронного розпилення при постійному струмі на поліімідних плівках. В результаті аналітичної обробки світлових вольтамперних характеристик отримані значення вихідних параметрів гнучких тонкоплівкових сонячних елементів на їх основі. Показано, що проведення "хлоридної" обробки шарів CdTe, отриманих при Тп < 300 °C, сприяє фазовому переходу в’юртцит-сфалерит та знижує коефіцієнт пропускання плівок на 20-40 % в інфрачервоній області спектру, не змінюючи значення ширини забороненої зони CdTe. Охолодження гетеросистеми ITO/CdS до кімнатної температури перед нанесенням базового шару CdTe, винесення на повітря та послідуючий нагрів до необхідної температури підкладки у вакуумі призводять до зростання значень напруги холостого ходу та коефіцієнту корисної дії досліджених гнучких сонячних елементів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au.
Вплив жорсткого ультрафіолету на структуру та оптичні властивості шарів CdS та CdTe
(Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, 2019) Копач, Галина Іванівна; Доброжан, Андрій Ігорович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Мигущенко, Руслан Павлович; Кропачек, Ольга Юріївна; Зайцев, Роман Валентинович; Меріуц, Андрій Володимирович
Досліджено вплив жорсткого ультрафіолетового випромінювання на кристалічну структуру, морфологію поверхні та оптичні характеристики напівпровідникових шарів CdS та CdTe, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі. Встановлено, що оптичні характеристики досліджених плівок CdS та CdTe нечутливі до опромінення жорстким ультрафіолетом. Кристалічна структура шарів плівок CdS і CdTe після опромінення змінюються. Період ґратки для плівок сульфіду кадмію збільшується від с = 6,77(01) Å до с = 6,78(88) Å, що може бути пов'язано з утворенням точкових дефектів та дефектних комплексів. В результаті опромінення жорстким ультрафіолетом спостерігається зменшення ширини піків на рентгендифрактограмах шарів CdS і CdTe, що пов'язано зі збільшенням областей когерентного розсіювання в результаті часткової рекристалізації приповерхневих шарів досліджених плівок.
Влияние наноразмерной прослойки оксида олова на эффективность фотоэлектрических процессов в пленочных солнечных элементах на основе теллурида кадмия
(Сумской государственный университет, 2015) Хрипунов, Геннадий Семенович; Пирогов, Александр Викторович; Кудий, Дмитрий Анатольевич; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунова, Алина Леонидовна; Геворкян, В. А.; Гладышев, П. П.
Было исследовано влияние толщины наноразмерной прослойки на эффективность фотоэлектрических процессов в солнечных элементах (СЭ) ITO/SnO₂/CdS/CdTe/Cu/Au, сформированных на различных подложках. Для приборных структур, сформированных на стеклянных подложках, максимальная эффективность 11,4 % достигается при толщине слоя оксида олова 80 нм. Для гибких солнечных элементов, сформированных на полиимидных пленках, максимальная эффективность 10,8 % наблюдается при толщине слоя оксида олова 50 нм. В работе обсуждаются физические механизмы наблюдаемых отличий в КПД.
Разработка физических основ емкостного акустического метода дефектоскопии металлов
(Сумской государственный университет, 2015) Горкунов, Борис Митрофанович; Тюпа, Игорь Васильевич; Зайцева, Лилия Васильевна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунова, Алина Леонидовна
Разработана физическая модель процесса возбуждения с помощью конденсатора длинноволновых продольных и поверхностных акустических волн в металлах. Показано, что модель позволяет проводить расчет выходного сигнала и осуществлять выбор методов и средств для приема данных акустических колебаний при проведении дефектоскопии металлов. Установлена возможность возбуждения и приема длинноволновых акустических колебаний емкостными преобразователями. Разработана схемотехническое решение электронного устройства для реализации оригинального емкостного акустического метода дефектоскопии металлов.
Разработка экономичных токопроводящих контактов для газочувствительных пленочных слоев диоксида олова
(Сумской государственный университет, 2014) Хрипунов, Геннадий Семенович; Пирогов, Александр Викторович; Новиков, Виталий Александрович; Зайцев, Роман Валентинович; Зайцева, Лилия Васильевна; Хрипунова, Алина Леонидовна
Для снижения себестоимости перспективных для широкомасштабного применения газовых датчиков на основе пленок диоксида олова за счет использования в качестве токопроводящих покрытий пленок алюминия, были проведены исследования влияния режимов работы на морфологию поверхности и кристаллическую структуру пленочных гетеросистем Al/SnO₂. Выявлено, что длительная работа гетеросистем при температурах 400 °С приводит к появлению на поверхности алюминиевой пленки, а затем и на поверхности пленочного слоя диоксида олова частиц олова с размерами до 2 мкм, которые способны нарушить свойства газочувствительные слоя. В работе рассмотрены физические механизмы выявленной межфазного взаимодействия. Предложенная конструкция газового датчика, в которой предусмотрено разграничение температур чувствительного слоя и токоведущих контактов, что позволяет использовать пленки алюминия в указанной приборной структуре.
Дослідження структури ємнісних перетворювачів на основі тонкоплівкової структури Al/ITO/поліімід/Al₂O₃
(Одеський національний університет ім. І. І. Мeчникова, 2015) Зайцева, Лілія Василівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Зайцев, Роман Валентинович; Горкунов, Борис Митрофанович; Хрипунова, Аліна Леонідівна
У статті розглянута ключова проблема безрідинного акустичного контролю металевих виробів та запропоноване новітнє рішення для дефектоскопії в умовах промислового виробництва. Основною особливістю рішення є використання тонкоплівкових гнучких шарів у ємнісних перетворювачах на основі структури Al/ITO/поліімід/Al₂O₃ загальною товщиною не більше 20 мкм. На підставі проведеного дослідження структурних та електричних властивостей шарів такої структури визначені оптимальні умови їх отримання для максимально ефективного використання у якості ємнісних перетворювачів. Створено дослідний зразок тонкоплівкового ємнісного перетворювача для акустичного контролю металевих виробів на основі структури Al/ITO/поліімід/Al₂O₃.