Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 7 з 7

Взрывная кристаллизация плёнок аморфного кобальта в сильном неоднородном магнитном поле
(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2020) Зубарев, Евгений Николаевич; Самофалов, Владимир Николаевич; Девизенко, Александр Юрьевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Севрюков, Д. В.; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Мамон, В. В.; Храмова, Татьяна Ивановна; Сабов, Т. М.; Дубиковский, А. В.; Оберемок, А. С.; Косуля, О. В.
Исследован механизм взрывной кристаллизации аморфных плёнок кобальта, выращенных на аморфном углероде в отсутствии и при наличии сильного неоднородного магнитного поля. Установлено, что ключевым фактором для реализации взрывной кристаллизации является углерод, поступающий в плёнку кобальта из работающего С-магнетрона во время осаждения слоя кобальта. Легирование растущей плёнки кобальта атомами углерода приводит к затягиванию стадии существования кобальта в аморфно-кластерном состоянии до большей номинальной толщины плёнки. Магнитное поле не оказывает влияния на содержание углерода в плёнках кобальта, которое примерно одинаково и составляет 3–5 ат.%. Показано, что неоднородное магнитное поле увеличивает критическую толщину, при которой начинается взрывная кристаллизация. В плёнках, полученных без магнитов в вакуумной камере, взрывная кристаллизация реализуется в интервале номинальных толщин от 8,0 до 8,5 нм. В плёнках, полученных непосредственно на магните, процесс взрывной кристаллизации происходит в интервале номинальных толщин от 10,0 до 10,5 нм.
Использование вольфрама в качестве барьерного слоя в многослойных рентгеновских зеркалах Sc/Si
(Сумський державний університет, 2018) Першин, Юрий Павлович; Чумак, В. С.; Зубарев, Евгений Николаевич; Девизенко, Александр Юрьевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Seely, J. F.
Методами рентгеновской дифракции (λ = 0,154 нм), просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов и рефлектометрии в мягкой рентгеновской области (λ = 25-50 нм) исследованы барьерные свойства слоев вольфрама толщиной 0,1-2,1 нм в многослойных рентгеновских зеркалах (МРЗ) Sc/W/Si, изготовленных методом прямоточного магнетронного распыления. Показано, что слои вольфрама толщиной 0,6-0,8 нм отделяют слои Sc и Si и препятствуют образованию перемешанной зоны ScSi. Вольфрам, взаимодействуя со слоями Si, формирует аморфную прослойку, толщина которой меньше толщины перемешанных зон ScSi, образующихся в МРЗ Sc/Si без барьеров. При tW < 0,5 нм вольфрам на скандии не образует сплошную пленку. Введение барьерных слоев толщиной t = 0,3-0,8 нм приводит к росту отражательной способности в мягкой рентгеновской области ( λ ~ 38 нм), по меньшей мере, в 2,5 раза по сравнению с МРЗ Sc/Si. Максимальный коэффициент отражения (R ~ 25%, λ ~ 38 нм) наблюдается при введении барьерных слоев толщиной tW ~ 0,54 нм. Обсуждаются пути дальнейшего усовершенствования технологии нанесения барьерных слоев и по вышения отражательной способности МРЗ Sc/Si
Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He
(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2004) Воронов, Д. Л.; Девизенко, Александр Юрьевич; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Пеньков, А. В.; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Бобков, В. В.; Перегон, Т. И.; Тищенко, Л. П.
С помощью рентгеновской дифракции и электронной микроскопии поперечных срезов исследованны структурные изменения в многослойных периодических композициях Mo/Sі во время облучения ионами He. Установлено, что облучение вызывает уменьшение периода многослойной композиции, которое сопровождается уменьшением толщиныслоев молибдена и кремния, возрастанием толщины перемешанных зон и уменьшением их плотности. В многослойном покрытии развиваются сжимающие напряжения.
Особенности магнитного взаимодействия в композитных многослойных наноструктурах с полупроводниковыми прослойками
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2015) Девизенко, Александр Юрьевич; Чекрыгина (Веретенникова), Юлия Игоревна; Шипкова, И. Г.
Моделирование внутреннего строения мультислойных гранулированных наносистем
(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2017) Шипкова, Ирина Геннадьевна; Веретенникова (Чекрыгина), Юлия Игоревна; Девизенко, Александр Юрьевич; Желуницына, Е. А.
Срезанные линейные зонные пластинки для жесткого рентгеновского излучения
(Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 2012) Артюков, И. А.; Бурцев, В. А.; Виноградов, А. В.; Девизенко, Александр Юрьевич; Калинин, Н. В.; Копылец, Игорь Анатольевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Пуха, Владимир Егорович; Савицкий, Борис Андреевич; Фещенко, Р. М.
Рассмотрены линейные зонные пластинки для жесткого (E > 10 keV) рентгеновского излучения на основе срезов многослойных покрытий W5Si3/Si, изготовленных методом магнетронного распыления. Из численных расчетов следует, что эта пара материалов обеспечивает высокую эффективность в первом и втором порядках дифракции. Экспериментально установлено, что возможен синтез многослойных структур высокого качества, содержащих сотни слоев на кремниевых и стеклянных подложках. Показано, что их срезы могут быть получены путем ионного травления многослойного покрытия через маску
Исследование структуры межслоевых границ раздела в многослойных периодических композициях Cr/Sc и Co/C методом рентгеновского диффузного рассеяния
(Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина; Научный физико-технологический центр МОН и НАН Украины, 2011) Журавель, Игорь Александрович; Бугаев, Егор Анатольевич; Девизенко, Александр Юрьевич; Першин, Юрий Павлович; Кондратенко, Валерий Владимирович
Методом рентгеновского диффузного рассеяния на длине волны 0,154 нм проведено исследование шероховатости и перемешивания на границах раздела многослойных пленочных композиций Cr/Sc и Co/C с периодами ~ 5 – 7 нм, полученных методом магнетронного распыления. Исследовано влияние на структуру границ раздела композиций Co/C часового отжига в интервале температур 100 – 330 °С. Полученные статистические характеристики шероховатости границ раздела позволяют предсказать рентгенооптические характеристики многослойных композиций, применяемых в рентгеновской оптике в диапазоне длин волн 3 – 5 нм.