Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Фільтри

2011 - 20142

Налаштування

Автор: search.filters.author.Журавель, Игорь АлександровичМістить файли: Так

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si
    (Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2014) Журавель, Игорь Александрович; Бугаев, Егор Анатольевич; Пеньков, А. В.; Зубарев, Евгений Николаевич; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Кондратенко, Валерий Владимирович
    Исследована структура и фазовый состав многослойных периодических композиций C/Si при помощи малоугловой рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и Рамановской спектроскопии при температурах 50—1050 °C. В исходном состоянии композиция C/Si представляет собой аморфные слои углерода и кремния, разделенные аморфными перемешанными зонами различной плотности. С ростом температуры происходит изменение периода композиции вследствие роста зон и графитизации углерода. При 700 °C начинается кристаллизация кремния. При 800 °C на основе кристаллического кремния формируется кристаллический SiC кубической модификации. При 900—1000 °C происходит разрушение периодической структуры композиции.
  • Ескіз
    Документ
    Исследование структуры межслоевых границ раздела в многослойных периодических композициях Cr/Sc и Co/C методом рентгеновского диффузного рассеяния
    (Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина; Научный физико-технологический центр МОН и НАН Украины, 2011) Журавель, Игорь Александрович; Бугаев, Егор Анатольевич; Девизенко, Александр Юрьевич; Першин, Юрий Павлович; Кондратенко, Валерий Владимирович
    Методом рентгеновского диффузного рассеяния на длине волны 0,154 нм проведено исследование шероховатости и перемешивания на границах раздела многослойных пленочных композиций Cr/Sc и Co/C с периодами ~ 5 – 7 нм, полученных методом магнетронного распыления. Исследовано влияние на структуру границ раздела композиций Co/C часового отжига в интервале температур 100 – 330 °С. Полученные статистические характеристики шероховатости границ раздела позволяют предсказать рентгенооптические характеристики многослойных композиций, применяемых в рентгеновской оптике в диапазоне длин волн 3 – 5 нм.