Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 18

Взрывная кристаллизация плёнок аморфного кобальта в сильном неоднородном магнитном поле
(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2020) Зубарев, Евгений Николаевич; Самофалов, Владимир Николаевич; Девизенко, Александр Юрьевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Севрюков, Д. В.; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Мамон, В. В.; Храмова, Татьяна Ивановна; Сабов, Т. М.; Дубиковский, А. В.; Оберемок, А. С.; Косуля, О. В.
Исследован механизм взрывной кристаллизации аморфных плёнок кобальта, выращенных на аморфном углероде в отсутствии и при наличии сильного неоднородного магнитного поля. Установлено, что ключевым фактором для реализации взрывной кристаллизации является углерод, поступающий в плёнку кобальта из работающего С-магнетрона во время осаждения слоя кобальта. Легирование растущей плёнки кобальта атомами углерода приводит к затягиванию стадии существования кобальта в аморфно-кластерном состоянии до большей номинальной толщины плёнки. Магнитное поле не оказывает влияния на содержание углерода в плёнках кобальта, которое примерно одинаково и составляет 3–5 ат.%. Показано, что неоднородное магнитное поле увеличивает критическую толщину, при которой начинается взрывная кристаллизация. В плёнках, полученных без магнитов в вакуумной камере, взрывная кристаллизация реализуется в интервале номинальных толщин от 8,0 до 8,5 нм. В плёнках, полученных непосредственно на магните, процесс взрывной кристаллизации происходит в интервале номинальных толщин от 10,0 до 10,5 нм.
Использование вольфрама в качестве барьерного слоя в многослойных рентгеновских зеркалах Sc/Si
(Сумський державний університет, 2018) Першин, Юрий Павлович; Чумак, В. С.; Зубарев, Евгений Николаевич; Девизенко, Александр Юрьевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Seely, J. F.
Методами рентгеновской дифракции (λ = 0,154 нм), просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов и рефлектометрии в мягкой рентгеновской области (λ = 25-50 нм) исследованы барьерные свойства слоев вольфрама толщиной 0,1-2,1 нм в многослойных рентгеновских зеркалах (МРЗ) Sc/W/Si, изготовленных методом прямоточного магнетронного распыления. Показано, что слои вольфрама толщиной 0,6-0,8 нм отделяют слои Sc и Si и препятствуют образованию перемешанной зоны ScSi. Вольфрам, взаимодействуя со слоями Si, формирует аморфную прослойку, толщина которой меньше толщины перемешанных зон ScSi, образующихся в МРЗ Sc/Si без барьеров. При tW < 0,5 нм вольфрам на скандии не образует сплошную пленку. Введение барьерных слоев толщиной t = 0,3-0,8 нм приводит к росту отражательной способности в мягкой рентгеновской области ( λ ~ 38 нм), по меньшей мере, в 2,5 раза по сравнению с МРЗ Sc/Si. Максимальный коэффициент отражения (R ~ 25%, λ ~ 38 нм) наблюдается при введении барьерных слоев толщиной tW ~ 0,54 нм. Обсуждаются пути дальнейшего усовершенствования технологии нанесения барьерных слоев и по вышения отражательной способности МРЗ Sc/Si
Особенности роста наноразмерных слоев Mg2Si в многослойных рентгеновских зеркалах Si/Mg2Si
(Сумський державний університет, 2016) Конотопский, Л. Е.; Копылец, Игорь Анатольевич; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович
Электронно-микроскопическими и рентгенографическими методами исследованы особенности роста наноразмерных слоев силицида магния в многослойном рентгеновском зеркале Si/Mg2Si с периодом 14.7 нм в исходном состоянии и после отжига. Установлено, что в исходном состоянии слои силицида магния представляют собой аморфную матрицу с включениями нанокристаллической фазы силицида магния в неравновесной гексагональной модификации. Формирование силицида магния в гексагональной модификации происходит под действием механических напряжений, источником которых являются слои кремния. Отжиг многослойного рентгеновского зеркала Si/Mg2Si при Т = 723 К приводит к кристаллизации и рекристаллизации слоев силицида магния из аморфной фазы, что сопровождается уменьшением периода рентгеновского зеркала на 7.3 %.
Особенности формирования многослойных периодических систем Mo/Si при различных давлениях рабочего газа
(Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна, 2009) Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Першин, Юрий Павлович; Севрюкова, Виктория Анатольевна
Реакционная диффузия в наноразмерных слоистых системах металл/кремний
(РАН, 2011) Зубарев, Евгений Николаевич
Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах
(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2010) Зубарев, Евгений Николаевич
При малых дозах облучения (ионами He+ до Φ ≤ 5⋅1020 ион/м2 и ионами Ar+до Φ ≤ 1,3⋅1018 ион/м2) толщина силицидных фаз на межфазных границах раздела Mo-на-Si и Si-на-Mo увеличивается одинаково и линейно с дозой облучения. Средний атомный состав аморфных перемешанных зон соответствует сплаву состава MoSi8,2 и MoSi3,9 при облучении ионами He+ и Ar+соответственно. При увеличении дозы облучения наблюдается уменьшение плотности аморфных перемешанных зон. На температурной зависимости ионно-лучевого перемешивания многослойных структур Mo/Si, облученных ионами He+, наблюдаются два участка: 1 – слабой зависимости (Tобл ≤ 260°C), 2 – сильной зависимости (Tобл > 260°C) от температуры облучения. Энергии активации ионно-лучевого перемешивания для указанных участков составляют Q1 ≈ 0,02 эВ и Q2 ≈ 0,5 эВ соответственно. Особенности ионно-лучевого перемешивания объясняются на основе перемешивания в субкаскадах столкновений.
Молекулярное распыление фуллерита ионами висмута
(Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2009) Дроздов, Антон Николаевич; Вус, О. С.; Пуха, Владимир Егорович; Зубарев, Евгений Николаевич; Пугачев, Анатолий Тарасович
Экспериментально исследовано взаимодействие низкоэнергетичных ионов висмута с поверхностью фуллерита в интервалах энергии ионов 50−200 eV и температуры мишени 100−270◦C. На основании изучения структуры конденсатов, сформированных из потока вещества эродирующей мишени, установлено, что испускаемый поток состоит молекул C60 и атомов висмута. Процесс эрозии фуллерита объясняется суперпозицией трех основных процессов, доминирующих в различных температурных интервалах: термического испарения, радиационно-ускоренной сублимации и физического молекулярного распыления.
Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi2/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия
(Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", 2006) Пеньков, А. В.; Зубарев, Евгений Николаевич; Польцева, О. В.; Пономаренко, А. Г.; Кондратенко, Валерий Владимирович; Бобков, В. В.; Перегон, Т. И.; Тищенко, Л. П.
С помощью электронной микроскопии поперечных срезов и малоугловой рентгеновской дифрактометрии исследованы начальные стадии ионно-лучевого перемешивания в многослойных периодических композициях Mo/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия с энергией 40 кэВ. Показано отсутствие перемешивания в фазово-равновесной системе MoSi2/Si. Начало процесса ионно-лучевого перемешивания в композициях Mo/Si обусловлено наличием в исходном состоянии перемешанных зон между молибденом и кремнием. Введение углеродных барьерных слоев между молибденом и кремнием препятствует формированию перемешанных зон и повышает радиационную стойкость. Установлена зависимость изменения толщин слоев многослойного покрытия от дозы облучен
Эволюция структуры многослойных рентгеновских зеркал Si/Mg2Si при термическом воздействии
(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2016) Конотопский, Л. Е.; Копылец, Игорь Анатольевич; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович
Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов исследована структура многослойного рентгеновского зеркала (МРЗ) Si/Mg2Si в исходном состоянии и после термического отжига в интервале температур 50—750⁰C. В исходном состоянии в МРЗ Si/Mg2Si слои Si – аморфные. Слои Mg2Si представляют собой аморфную матрицу с нанокристаллическими включениями Mg2Si в метастабильной гексагональной модификации. При отжиге до 450⁰C наблюдается кристаллизация слоёв Mg2Si, что сопровождается увеличением плотности силицида и, соответственно, уменьшением периода на 7,3%. Дальнейший отжиг МРЗ Si/Mg2Si приводит к кристаллизации слоёв Si в интервале температур 500—600⁰C, в результате чего период рентгеновского зеркала уменьшается на 6,36%.
Влияние газовых молекул из атмосферы на абсорбцию водорода нанокристаллическими пористыми (V, 10 ат.% Ti)Nx пленками
(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2016) Власов, В. В.; Гугля, А. Г.; Марченко, Ю. А.; Солопихина, Е. С.; Зубарев, Евгений Николаевич
В работе на примере нанокристаллического тонкоплёночного нитрида ва надия (V, 10 ат.% Ti)Nx исследованы закономерности влияния газовых молекул из остаточной атмосферы внутри вакуумной камеры на термодинамические и гравиметрические характеристики пористых абсорбентов водорода. Показано, что открытая пористая структура нанокристаллических тонких плёнок активно абсорбирует не только молекулы водорода, но и более крупные молекулы. Насыщение водородом при 20⁰С приводит к тому, что достаточно большая доля газовых молекул из остаточной а мосферы оказывается заблокированной внутри пор. Вследствие этого уменьшается абсорбционная ёмкость материала (не более 3 вес.%) и повышается температура десорбции водорода (500⁰С). Высокотемпературная активация нанопористой структуры и насыщение водородом при температуре 250⁰С способствуют понижению температуры десорбции до 275⁰С и увеличению гравиметрической ёмкости до 7 вес.%.