Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Фільтри

2010 - 20122

Налаштування

Автор: search.filters.author.Мамалуй, Андрей Александрович

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Источник монохроматического рентгеновского излучения на основе двухступенчатого вторичного излучателя
    (Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", 2012) Мамалуй, Андрей Александрович; Батурин, Алексей Анатольевич; Михайлов, Антон Игоревич
    Теоретически рассчитан и экспериментально разработан источник монохроматического рентгеновского излучения на основе двухступенчатого вторичного излучателя Mo-Cu (secondary target) для трубок с анодом прострельного типа. Экспериментально исследованы диаграмма направленности и контрастность спектра выходящего излучения. Установлено, что двухступенчатый вторичный излучатель позволяет получить 20…50-кратный выигрыш в контрастности выходящего спектра по сравнению с одноступенчатым. Спектры рентгеновской флуоресценции стандартного образца алюминиевого сплава (СО1 AL), полученные с помощью двухступенчатого вторичного излучателя, по контрастности в 6 раз превосходят схему с фильтрацией первичного излучения и в 2 раза – схему с одноступенчатым вторичным излучателем.
  • Ескіз
    Документ
    Определение толщины активной области Si-PIN детектора по зависимости интенсивности аналитических линий однокомпонентных эталонов от длины волны
    (Сумский государственный университет, 2010) Мамалуй, Андрей Александрович; Фомина, Лариса Петровна; Михайлов, Антон Игоревич
    Предложена простая процедура определения толщины активной области детектора, при которой в качестве известных потоков используются потоки аналитических линий флуоресцентного излучения однокомпонентных образцов при их возбуждении монохроматическим излучением вторичного излучателя. Совмещение экспериментальной и расчетной кривых зависимости интенсивности аналитических линий от длины волны позволяет определить толщину активной области d = 170 мкм. с точностью 10 мкм.