Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 6 з 6

Использование вольфрама в качестве барьерного слоя в многослойных рентгеновских зеркалах Sc/Si
(Сумський державний університет, 2018) Першин, Юрий Павлович; Чумак, В. С.; Зубарев, Евгений Николаевич; Девизенко, Александр Юрьевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Seely, J. F.
Методами рентгеновской дифракции (λ = 0,154 нм), просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов и рефлектометрии в мягкой рентгеновской области (λ = 25-50 нм) исследованы барьерные свойства слоев вольфрама толщиной 0,1-2,1 нм в многослойных рентгеновских зеркалах (МРЗ) Sc/W/Si, изготовленных методом прямоточного магнетронного распыления. Показано, что слои вольфрама толщиной 0,6-0,8 нм отделяют слои Sc и Si и препятствуют образованию перемешанной зоны ScSi. Вольфрам, взаимодействуя со слоями Si, формирует аморфную прослойку, толщина которой меньше толщины перемешанных зон ScSi, образующихся в МРЗ Sc/Si без барьеров. При tW < 0,5 нм вольфрам на скандии не образует сплошную пленку. Введение барьерных слоев толщиной t = 0,3-0,8 нм приводит к росту отражательной способности в мягкой рентгеновской области ( λ ~ 38 нм), по меньшей мере, в 2,5 раза по сравнению с МРЗ Sc/Si. Максимальный коэффициент отражения (R ~ 25%, λ ~ 38 нм) наблюдается при введении барьерных слоев толщиной tW ~ 0,54 нм. Обсуждаются пути дальнейшего усовершенствования технологии нанесения барьерных слоев и по вышения отражательной способности МРЗ Sc/Si
Особенности формирования многослойных периодических систем Mo/Si при различных давлениях рабочего газа
(Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна, 2009) Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Першин, Юрий Павлович; Севрюкова, Виктория Анатольевна
Исследование границ раздела фаз в периодических многослойных структурах Mo/Si с использованием метода масс-спектрометрии нейтральных частиц
(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2013) Першин, Юрий Павлович; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Оберемок, А. С.; Мельник, В. П.; Романюк, Б. Н.; Попов, В. Г.; Литвин, П. М.
Исследованы многослойные периодические структуры Мо/Si методами малоугловой рентгеновской дифракции, атомно-силовой микроскопии и масс-спектрометрии постионизированных нейтральных частиц. Из спектров дифракции рентгеновских лучей определены скорости нанесения слоёв при различных технологических условиях. Моделирование спектров дифракции многослойных структур и сопоставление их с экспериментальными результатами показали, что на границах раздела фаз формируется силицид молибдена. Измерения распределения примесей по толщине подтвердили наличие слоёв силицида на границе раздела фаз, а также обнаружили слои оксидов; проведены оценки толщин последних. Найдены оптимальные режимы распыления структур при послойном примесном масс-спектрометрическом анализе, которые позволили получить разрешающую способность метода по глубине не хуже 1,0 нм при профилировании до глубины 100 нм. Показано, что разрешение этого метода ограничивается формой и шероховатостью дна кратера при ионном травлении и зависит от энергии ионов плазмы и режимов травления.
Апериодические многослойные структуры в оптике мягкого рентгеновского излучения
(Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 2012) Вишняков, Е. А.; Каменец, Ф. Ф.; Кондратенко, Валерий Владимирович; Лугинин, М. С.; Панченко, А. В.; Першин, Юрий Павлович; Пирожков, А. С.; Рагозин, Е. Н.
Представлен обзор работ, посвященных созданию апериодических многослойных структур – оптических элементов для мягкого рентгеновского диапазона. Исследованы возможности апериодических многослойных зеркал относительно отражения мягкого рентгеновского излучения в широком диапазоне длин волн, прежде всего при нормальном падении излучения, а также возможности широкополосных зеркал-поляризаторов. Приведены результаты многопараметрических оптимизационных расчетов и экспериментальные результаты для апериодических зеркал на основе структуры Mo/Si (l ³ 12.5 нм), а также расчеты для ряда перспективных пар материалов (Pd/Y, Ag/Y и др.) и l £ 12.5 нм. Рассмотрено влияние переходных слоев на коэффициент отражения, в том числе путем учета плавного изменения диэлектрической проницаемости на границах раздела. Обсуждается применение широкополосных зеркал в лазерно-плазменных спектроскопических экспериментах
Исследование структуры межслоевых границ раздела в многослойных периодических композициях Cr/Sc и Co/C методом рентгеновского диффузного рассеяния
(Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина; Научный физико-технологический центр МОН и НАН Украины, 2011) Журавель, Игорь Александрович; Бугаев, Егор Анатольевич; Девизенко, Александр Юрьевич; Першин, Юрий Павлович; Кондратенко, Валерий Владимирович
Методом рентгеновского диффузного рассеяния на длине волны 0,154 нм проведено исследование шероховатости и перемешивания на границах раздела многослойных пленочных композиций Cr/Sc и Co/C с периодами ~ 5 – 7 нм, полученных методом магнетронного распыления. Исследовано влияние на структуру границ раздела композиций Co/C часового отжига в интервале температур 100 – 330 °С. Полученные статистические характеристики шероховатости границ раздела позволяют предсказать рентгенооптические характеристики многослойных композиций, применяемых в рентгеновской оптике в диапазоне длин волн 3 – 5 нм.
Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распыления на а-Si
(Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина; Научный физико-технологический центр МОН и НАН Украины, 2011) Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Першин, Юрий Павлович; Цебенко, В. О.